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Nanz, Gerd
 

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PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Khalil, N. ; Nanz, Gerd ; Rios, R. ; Selberherr, Siegfried A B-Splines Regression Technique to Determine One-Dimensional MOS Doping ProfilesKonferenzbeitrag Inproceedings1995
2Fischer, Claus ; Nanz, Gerd ; Selberherr, Siegfried Finite Difference, Boundary-Fitted Grid Generation for Arbitrarily Shaped Two-Dimensional Simulation AreasArtikel Article1993
3Dickinger, Peter ; Lindorfer, Philipp ; Nanz, Gerd ; Selberherr, Siegfried Connection of Network and Device SimulationKonferenzbeitrag Inproceedings1990
4Nanz, Gerd Selbst-adaptive Finite-Differenzen-Gitter in der HalbleiterbauelementesimulationPräsentation Presentation1990
5Dickinger, Peter ; Nanz, Gerd ; Selberherr, Siegfried Two-Dimensional Simulation of a Bipolar Dynamic Memory CellKonferenzbeitrag Inproceedings1989
6Nanz, Gerd ; Dickinger, Peter ; Fischer, Claus ; Kausel, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Bauelementsimulation mit BAMBIKonferenzbeitrag Inproceedings1989
7Nanz, Gerd Zweidimensionale Simulation allg. HalbleiterbauelementePräsentation Presentation1989
8Kausel, Wolfgang ; Nanz, Gerd ; Selberherr, Siegfried ; Pötzl, Hans BAMBI - A Transient Two-Dimensional Device Simulator Using Implicit Backward Euler's Method and a Totally Self Adaptive GridKonferenzbeitrag Inproceedings1988
9Nanz, Gerd ; Dickinger, Peter ; Kausel, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Avalanche Breakdown in the ALDMOSTKonferenzbeitrag Inproceedings1988
10Kausel, Wolfgang ; Nanz, Gerd ; Selberherr, Siegfried ; Pötzl, Hans A New Boundary Condition for Device Simulation Considering Outer ComponentsKonferenzbeitrag Inproceedings1988