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Morvan, Erwin
 

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1De Jaeger, Jean-Claude ; Gaquière, Christophe ; Douvry, Yannick ; Defrance, N ; Hoel, V ; Delage, S.L. ; di Forte-Poisson, M.A. ; Sarazin, N ; Morvan, Erwin ; Alomari, M ; Kohn, Erhard ; Dussaigne, A ; Carlin, Jean-François ; Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pogany, Dionyz Microwave Power Capabilities of InAlN/GaN HEMTs"Präsentation Presentation2010
2Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pichonat, Emmanuelle ; Gaquière, Christophe ; Morvan, Erwin ; Kohn, Erhard ; Teyssier, Jean-Pierre ; Pogany, Dionyz Self-heating phenomena in high-power III-N transistors and new thermal characterization methods developed within EU project TARGETArtikel Article 2010
3Kohn, Erhard ; Alomari, M ; Denisenko, A ; Dipalo, M ; Maier, D ; Medjdoub, F ; Pietzka, C ; Delage, S.L. ; diForte-Poisson, M.-A. ; Morvan, Erwin ; Sarazin, N ; Jacquet, J.-C. ; Dua, C ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Py, M.A. ; Gonschorek, Marcus ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Pozzovivo, Gianmauro ; Ostermaier, Clemens ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gaquière, Christophe ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Georgakilas, A ; Iliopoulos, E ; Konstantinidis, G. ; Giessen, C ; Heuken, M ; Schineller, B InAlN/GaN Heterostructures for Microwave Power and BeyondKonferenzbeitrag Inproceedings2009
4Kuzmik, Jan ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette ; Gregusova, Dagmar ; Sarazin, N ; Morvan, Erwin ; Fröhlich, Karol ; Delage, S.L. ; Pogany, Dionyz On state breakdown in InAlN/GaN HEMTKonferenzbeitrag Inproceedings2008
5Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Gaquière, Christophe ; Pichonat, Emmanuelle ; Morvan, Erwin Investigation of the thermal boundary resistance at the III-Nitride/substrate interface using optical methodsArtikel Article2007
6Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Gaquière, Christophe ; Morvan, Erwin Current conduction and saturation mechanism in AlGaN/GaN ungated structuresArtikel Article2006
7Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pichonat, Emmanuelle ; Gaquière, Christophe ; Morvan, Erwin ; Pogany, Dionyz Influence of surface trapping on determination of electron saturation velocity in AlGaN/GaN structureKonferenzbeitrag Inproceedings 2006