Name Card

Full name Familienname, Vorname
Kauerauf, T.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-6 of 6 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Franco, J. ; Kaczer, B. ; Waldron, N. ; Roussel, Ph.J. ; Alian, A. ; Pourghaderi, M. A. ; Ji, Z. ; Grasser, T. ; Kauerauf, T. ; Sioncke, S. ; Collaert, N. ; Thean, A. ; Groeseneken, G. RTN and PBTI-induced time-dependent variability of replacement metal-gate high-k InGaAs FinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2014
2Franco, J. ; Kaczer, B. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph.J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Witters, L. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Superior Reliability of High Mobility (Si)Ge Channel pMOSFETsArtikel Article2013
3Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
4Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Reliability of SiGe Channel MOSKonferenzbeitrag Inproceedings2012
5Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Mitard, J. ; Stesmans, A. ; Afanas'ev, V. ; Kauerauf, T. ; Roussel, Ph.J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Grasser, T. ; Ragnarsson, L.-A. ; Witters, L. ; Tseng, J. ; Takeoka, S. ; Wang, W.-E. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. 6Å EOT Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFET with optimized reliability (V<inf>DD</inf>=1V): Meeting the NBTI lifetime target at ultra-thin EOTKonferenzbeitrag Inproceedings2010
6Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Roussel, Ph. J. ; Degraeve, R. ; Franco, J. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Depth Localization of Trapped Holes in SiON after Positive and Negative Gate StressPräsentation Presentation2010