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Marko, Paul
 

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1Marko, Paul ; Alexewicz, Alexander ; Hilt, O ; Meneghesso, Gaudenzio ; Würfl, Joachim ; Zanoni, Enrico ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Random telegraph noise and bursts in reverse-bias-stressed AlGaN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
2Marko, Paul ; Alexewicz, Alexander ; Meneghini, M ; Meneghesso, Gaudenzio ; Zanoni, Enrico ; Hilt, O ; Würfl, Joachim ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Pre-breakdown current fluctuations and RTS noise in reverse-bias-stressed AlGaN/GaN HEMTsPräsentation Presentation2012
3Alexewicz, Alexander ; Marko, Paul ; Alomari, M ; Behmenburg, H ; Giesen, C. ; Heuken, M ; Pogany, Dionyz ; Kohn, Erhard ; Strasser, Gottfried InAlGaN/AlN GaN-HEMTs with In-Situ SiN PassivationPräsentation Presentation2012
4Alexewicz, Alexander ; Marko, Paul ; Alomari, M ; Behmenburg, H ; Giesen, C. ; Heuken, M ; Pogany, Dionyz ; Kohn, Erhard ; Strasser, Gottfried Performance Enhancement of InAlGaN/AlN GaN-HEMTs by using In-Situ SiN PassivationPräsentation Presentation2012
5Alexewicz, Alexander ; Marko, Paul ; Alomari, M ; Behmenburg, H ; Giesen, C. ; Heuken, M ; Pogany, Dionyz ; Kohn, Erhard ; Strasser, Gottfried InAlGaN/AlN GaN-HEMTs with In-Situ SiN PassivationPräsentation Presentation2012
6Marko, Paul ; Meneghini, M ; Bychikhin, Sergey ; Marcon, D ; Meneghesso, Gaudenzio ; Zanoni, Enrico ; Pogany, Dionyz IV, noise and electroluminescence analysis of stress-induced percolation paths in AlGaN/GaN high electron mobility transistorsPräsentation Presentation2012