Proceeding of The 7th Int´l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)

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Proceeding of The 7th Int´l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
 

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1Kheirodin, N ; Nevou, L ; Machhadani, H ; Tchernycheva, M ; Lupu, A ; Julien, F.H. ; Crozat, P ; Meignien, L ; Warde, E ; Vivien, L ; Pozzovivo, Gianmauro ; Golka, Sebastian ; Strasser, Gottfried ; Guillot, G. ; Monroy, Eva ; Remmele, T ; Albrecht, M Electro-optical intersubband modulators at telecommunication wavelengths based on GaN/AlN quantum wellsKonferenzbeitrag Inproceedings2007
2Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Abermann, Stephan ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Grandjean, Nicolas ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Gate insulation and current collapse suppression in InAlN/GaN HEMTs using High-k dielectricsKonferenzbeitrag Inproceedings2007
3Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMTs with Al2O3 gate insulation prepared by CVDKonferenzbeitrag Inproceedings2007