VLSI Process and Device Modeling Workshop (VPAD)

Event name
VLSI Process and Device Modeling Workshop (VPAD)
 
Start date
26-05-1989
End date
27-05-1989
 
Location
Osaka
Country
Austria
 
Event format Veranstaltungsformat
On Site

Publications Publikationen

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PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Strasser, Ernst ; Wimmer, Karl ; Selberherr, Siegfried A New Method for Simulation of Etching and Deposition ProcessesKonferenzbeitrag Inproceedings1993
2Bauer, Robert ; Stiftinger, Martin ; Selberherr, Siegfried Capacitance Calculation of VLSI Multilevel Wiring StructuresKonferenzbeitrag Inproceedings1993
3Brand, H ; Selberherr, Siegfried Electrothermal Analysis of Latch-Up in an IGTKonferenzbeitrag Inproceedings1993
4Selberherr, Siegfried ; Kosina, Hans Simulation of Nanometer MOS-Devices with MINIMOSKonferenzbeitrag Inproceedings1990
5Selberherr, Siegfried ; Fischer, Claus ; Halama, Stefan ; Pimingstorfer, Hubert ; Read, Howard ; Stippel, Hannes ; Verhas, Peter ; Wimmer, Karl The Viennese TCAD SystemKonferenzbeitrag Inproceedings1991
6Selberherr, Siegfried Three Dimensional Device Modeling with MINIMOS 5Konferenzbeitrag Inproceedings1989
7Stippel, Hannes ; Selberherr, Siegfried Three Dimensional Monte Carlo Simulation of Ion Implantation with Octree Based Point LocationKonferenzbeitrag Inproceedings1993