Lancaster, Suzanne

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Prefix title Titel (vorangestellt)
Dr.in techn.
 
Full name Familienname, Vorname
Lancaster, Suzanne
 
Postfix title Titel (nachgestellt)
MPhys.
 
Main Affiliation Organisations­zuordnung
 

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PreviewAuthors / EditorsTitleTypeIssue Date
1Benter S - 2019 - Quasi One-Dimensional Metal-Semiconductor Heterostructures.pdf.jpgBenter, S. ; Dubrovskii, V. G. ; Bartmann, Maximilian Georg ; Campo, A. ; Zardo, I. ; Sistani, Masiar ; Stöger-Pollach, Michael ; Lancaster, Suzanne ; Detz, Hermann ; Lugstein, Alois Quasi One-Dimensional Metal–Semiconductor HeterostructuresArticle Artikel 12-Jun-2019
2Lancaster, Suzanne Growth and characterisation of III-V nanowire heterostructures integrated on SiThesis Hochschulschrift2019
3Lancaster, Suzanne ; Hillbrand, Johannes ; Knötig, Hedwig ; Schinnerl, Markus ; Weih, Robert ; Schade, Anne ; Höfling, Sven ; Schrenk, Werner ; Andrews, Aaron Maxwell ; Detz, Hermann ; Waclawek, Johannes Paul ; Lendl, Bernhard ; Schwarz, Benedikt ; Strasser, Gottfried Deep etching of Interband Cascade Laser waveguidesPräsentation Presentation2019
4Lancaster, Suzanne ; Schinnerl, Markus ; Andrews, Aaron Maxwell ; Sistani, Masiar ; Lugstein, Alois ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Optically active nanowires nucleated via a novel focused ion beam implantation methodKonferenzbeitrag Inproceedings2019
5Detz, Hermann ; Lancaster, Suzanne ; Groiss, H ; Zeininger, Josef ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried Elucidating the impact of B incorporation in GaAs through nanowire growthKonferenzbeitrag Inproceedings2019
6Detz, Hermann ; Lancaster, Suzanne ; Potocek, Michal ; MacFarland, Donald ; Zederbauer, Tobias ; Schrenk, Werner ; Andrews, Aaron Maxwell ; Strasser, Gottfried Boron Incorporation into BGaAs for Strain EngineeringPräsentation Presentation2019
7Lancaster, Suzanne ; Groiss, Heiko ; Zederbauer, Tobias ; Andrews, Aaron M ; MacFarland, Donald ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Suppression of axial growth by boron incorporation in GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxyArtikel Article2018
8Lancaster, Suzanne ; Groiss, H ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Heterostructure Formation in III-V Nanowires Grown on SiliconPräsentation Presentation2018
9Lancaster, Suzanne ; Groiss, H ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Electrical properties of GaAs/BGaAs nanowiresKonferenzbeitrag Inproceedings2018
10Lancaster, Suzanne ; Andrews, Aaron Maxwell ; Critterberg, Daniel ; MacFarland, Donald ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Optical investigation of surface effects in InGaAs/GaAs radially heterostructured nanowiresKonferenzbeitrag Inproceedings2018
11Lancaster, Suzanne ; Groiss, H ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Structural and electrical properties of BGaAs nanowiresKonferenzbeitrag Inproceedings2018
12Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann ; MacFarland, Donald ; Potocek, Michal ; Lancaster, Suzanne ; Zederbauer, Tobias ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner Incorporation of B into BGaAs layers for strain engineeringKonferenzbeitrag Inproceedings2018
13Lancaster, Suzanne ; Groiss, H ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Effect of boron addition during GaAs nanowire growth on morphology and electrical propertiesKonferenzbeitrag Inproceedings2018
14Detz, Hermann ; Kriz, Martin ; Lancaster, Suzanne ; MacFarland, Donald ; Schinnerl, Markus ; Zederbauer, Tobias ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried Lithography-free positioned GaAs nanowire growth with focused ion beam implantation of GaArtikel Article2017
15Detz, H. ; MacFarland, D. ; Zederbauer, T. ; Lancaster, S. ; Andrews, A.M. ; Schrenk, W. ; Strasser, G. Growth rate dependence of boron incorporation into BxGa1-xAs layersArtikel Article2017
16Lancaster, Suzanne ; Andrews, Aaron Maxwell ; Zederbauer, Tobias ; MacFarland, Donald ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Schottky diode formation in GaAs nanowires by heterogeneous contact depositionArtikel Article2017
17Lancaster, Suzanne ; Groiss, H ; MacFarland, Donald ; Zederbauer, Tobias ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Incorporation of Boron in GaAs nanowires grown by self-catalysed molecular beam epitaxyPräsentation Presentation2017
18Lancaster, Suzanne ; Schinnerl, Markus ; MacFarland, Donald ; Zederbauer, Tobias ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Growth of self-catalyzed nanowire via focused ion beam implantationPräsentation Presentation2017
19Lancaster, Suzanne ; Kriz, Martin ; Schinnerl, Markus ; MacFarland, Donald ; Zederbauer, Tobias ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Focused ion beam implantation for the nucleation of self-catalyzed III-V nanowiresArtikel Article2017
20Lancaster, Suzanne ; Groiss, H ; Zederbauer, Tobias ; MacFarland, Donald ; Andrews, Aaron Maxwell ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Detz, Hermann Influence of boron incorporation in GaAs nanowires grown by self-catalysed MBEKonferenzbeitrag Inproceedings2017