Kaczer, Ben

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Kaczer, Ben
 

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61Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Roussel, Philippe J. ; Bina, Markus ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Weckx, P. ; Groeseneken, Guido Degradation of time dependent variability due to interface state generationKonferenzbeitrag Inproceedings 2013
62Gös, Wolfgang ; Toledano-Luque, M. ; Baumgartner, Oskar ; Bina, Markus ; Schanovsky, Franz ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Understanding Correlated Drain and Gate Current FluctuationsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
63Gös, Wolfgang ; Toledano-Luque, M. ; Baumgartner, Oskar ; Bina, Markus ; Schanovsky, Franz ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Understanding Correlated Drain and Gate Current FluctuationsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
64Goes, Wolfgang ; Toledano-Luque, Maria ; Schanovsky, Franz ; Bina, Markus ; Baumgartner, Oskar ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor (Invited) Multiphonon Processes as the Origin of Reliability IssuesKonferenzbeitrag Inproceedings2013
65Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
66Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Asenov, A ; Groeseneken, G. Impact of Individual Charged Gate-Oxide Defects on the Entire ID -VG Characteristic of Nanoscaled FETsArtikel Article2012
67Wagner, Paul-Jürgen ; Kaczer, Ben ; Scholten, A ; Reisinger, H. ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Vandamme, L.K.J. ; Grasser, Tibor On the Correlation Between NBTI, SILC, and Flicker NoiseKonferenzbeitrag Inproceedings2012
68Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Simoen, E. ; Degraeve, R. ; Franco, J. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Correlation of Single Trapping and Detrapping Effects in Drain and Gate Currents of Nanoscaled nFETs and pFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
69Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben ; Reisinger, H. ; Wagner, Paul-Jürgen ; Toledano-Luque, M. On the Frequency Dependence of the Bias Temperature InstabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2012
70Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L. A. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Grasser, Tibor ; Asenov, A Impact of Single Charged Gate Oxide Defects on the Performance and Scaling of Nanoscaled FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
71Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Reliability of SiGe Channel MOSKonferenzbeitrag Inproceedings2012
72Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Asenov, A ; Schwarz, Benedikt ; Bina, Markus ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. The Relevance of Deeply-Scaled FET Threshold Voltage Shifts for Operation LifetimesKonferenzbeitrag Inproceedings2012
73Bina, Markus ; Triebl, Oliver ; Schwarz, Benedikt ; Karner, Markus ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Simulation of Reliability on Nanoscale DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2012
74Goes, Wolfgang ; Schanovsky, Franz ; Reisinger, Hans ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Bistable Defects as the Cause for NBTI and RTNArtikel Article2011
75Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Franco, J. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Simoen, E. ; Groeseneken, G. Recent Trends in Bias Temperature InstabilityArtikel Article2011
76Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. From Mean Values to Distributions of BTI Lifetime of Deeply Scaled FETs Through Atomistic Understanding of the DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings2011
77Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Franco, J. ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Camargo, V. V. A. ; Mahato, S. ; Simoen, E. ; Catthoor, F. ; Wirth, G.I. ; Groeseneken, G. Recent Trends in CMOS Reliability: From Individual Traps to Circuit SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
78Southwick III, R. G. ; Purnell, Shem T. ; Rapp, Blake A. ; Thompson, Ryan J. ; Pugmire, Shane K ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Knowlton, B. Cryogenic to Room Temperature Effects of NBTI in High-k PMOS DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2011
79Gös, Wolfgang ; Schanovsky, Franz ; Grasser, Tibor ; Reisinger, H. ; Kaczer, Ben Advanced Modeling of Oxide Defects for Random Telegraph NoiseKonferenzbeitrag Inproceedings2011
80Kaczer, Ben ; Mahato, S. ; Valduga de Almeida Camargo, V. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Catthoor, F. ; Dobrovolny, P. ; Zuber, P. ; Wirth, G.I. ; Groeseneken, G. Atomistic Approach to Variability of Bias-Temperature Instability in Circuit SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings2011