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Bychikhin, Sergey
 

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1Rigato, Matteo ; Fleury, Clement ; Schwarz, Benedikt ; Mergens, Markus ; Bychikhin, Sergey ; Simburger, Werner ; Pogany, Dionyz Analysis of ESD Beheviour of Stacked nMOSFET RF Switches in Bulk TechnologyArtikel Article 2018
2Kohn, Erhard ; Alomari, M ; Gao, Z. ; Rossi, S ; Dussaigne, A ; Carlin, J.-F ; Grandjean, Nicolas ; Aretouli, K.E. ; Adikimenakis, A ; Konstantinidis, G. ; Georgakilas, A ; Zhang, Y ; Weaver, J ; Calvo, J. A. ; Kuball, M. ; Bychikhin, Sergey ; Kuzmik, J. ; Pogany, Dionyz ; Toth, L. ; Pecz, B ; Kovacs, A. Direct Interpretation of Diamond Heat Spreader with GaN-Based HEMT Device StructuresKonferenzbeitrag Inproceedings2014
3Meneghini, M ; Cibin, Giulia ; Bertin, Marco ; Carraro, S ; Marconi, S ; Marioli, M ; la Grassa, M ; Ferretti, M ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Strasser, Gottfried ; Zanoni, Enrico ; Meneghesso, Gaudenzio Comparison of breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in voltage and current controlled mode: electrical and optical characterizationPräsentation Presentation2013
4Fleury, Clement ; Bychikhin, Sergey ; Cappriotti, Mattia ; Hilt, O ; Zhytnytska, Rimma ; Würfl, Joachim ; Derluyn, Joff ; Visalli, Domenica ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Localization Of Vertical Breakdown Spots In Normally-Off And Normally-On Algan/gan Hemts On Sic And Si SubstratesKonferenzbeitrag Inproceedings2013
5Fleury, Clement ; Bychikhin, Sergey ; Hilt, O ; Würfl, Joachim ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Transient Thermal Mapping Of P-Gan Gate Normally-Off Algan/gan TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
6Zhang, Y ; Dobson, P S ; Weaver, J ; Alomari, M ; Kohn, Erhard ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz Measuring Thermal Conductivity of Nanocrystalline Diamond Film with a Scanning Thermal MicroscopeKonferenzbeitrag Inproceedings2013
7Fleury, Clément ; Zhytnytska, Rimma ; Bychikhin, Sergey ; Cappriotti, Mattia ; Hilt, Oliver ; Visalli, Domenica ; Meneghesso, Gaudenzio ; Zanoni, Enrico ; Würfl, Joachim ; Derluyn, Joff ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Statistics and localisation of vertical breakdown in AlGaN/GaN HEMTs on SiC and Si substrates for power applicationsArtikel Article2013
8Fleury, Clement ; Zhytnytska, Rimma ; Bychikhin, Sergey ; Cappriotti, Mattia ; Hilt, O ; Visalli, Domenica ; Meneghesso, Gaudenzio ; Zanoni, Enrico ; Würfl, Joachim ; Derluyn, Joff ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Statistics and localisation of vertical breakdown in AlGaN/GaN HEMTs on SiC and Si substrates for power applicationsPräsentation Presentation2013
9Chen, S.-H. ; Griffoni, A ; Srivastava, P ; Linten, D ; Thijs, S ; Scholz, M ; Denis, Marcon ; Gallerano, A ; Lafonteese, D ; Concannon, A ; Vashchenko, V.A. ; Hopper, P ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Van Hove, Marleen ; Decoutere, S. ; Groeseneken, G. HBM ESD Robustness of GaN-on-Si Schottky DiodesArtikel Article Dec-2012
10Wagner, Paul-Jürgen ; Kaczer, Ben ; Scholten, A ; Reisinger, H. ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Vandamme, L.K.J. ; Grasser, Tibor On the Correlation Between NBTI, SILC, and Flicker NoiseKonferenzbeitrag Inproceedings2012
11Notermans, Guido ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Johnsson, David ; Maksimovic, Dejan HMM-TLP correlation for system-efficient ESD designArtikel Article2012
12Marko, Paul ; Meneghini, M ; Bychikhin, Sergey ; Marcon, D ; Meneghesso, Gaudenzio ; Zanoni, Enrico ; Pogany, Dionyz IV, noise and electroluminescence analysis of stress-induced percolation paths in AlGaN/GaN high electron mobility transistorsPräsentation Presentation2012
13Rossi, S ; Alomari, M ; Kohn, Erhard ; Zhang, E ; Weaver, J ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas Thermal Analysis of NCD Heat-Spreading Films on InAlN/GaN HEMTsPräsentation Presentation2012
14Alexewicz, Alexander ; Behmenburg, H ; Giesen, C. ; Heuken, M ; Bychikhin, Sergey ; Kuzmik, J. ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Thermal analysis and simulation of InAlGaN/AlN GaN HEMTS on Si-Diamond-Si SubstratesKonferenzbeitrag Inproceedings2012
15Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Pichonat, Emmanuelle ; Lancry, O ; Gaquière, Christophe ; Tsiakatouras, G ; Deligeorgis, G. ; Georgakilas, Alexandros Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN device on single crystalline diamondArtikel Article 27-Apr-2011
16Pogany, Dionyz ; Bychikhin, Sergey ; Heer, Michael ; Mamanee, Wasinee ; Gornik, Erich Application of transient interferometric mapping method for ESD and latch-up analysisPräsentation Presentation2011
17Chen, S.-H. ; Griffoni, A ; Srivastava, P ; Linten, D ; Thijs, S ; Scholz, M ; Marcon, D ; Gallerano, A ; Lafonteese, D ; Concannon, A ; Vashchenko, V.A. ; Hopper, P ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Van Hove, M ; Decoutere, S. ; Groeseneken, G. HBM ESD Robustness of GaN-on-Si Schottky DiodesKonferenzbeitrag Inproceedings2011
18Shrivastava, Mayank ; Russ, C ; Gossner, Harald ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich ESD Robust DeMOS Devices in Advanced CMOS TechnologiesKonferenzbeitrag Inproceedings2011
19Pogany, Dionyz ; Zeiner, Clemens ; Bychikhin, Sergey ; Burchhart, Thomas ; Lugstein, Alois ; Vandamme, L.K.J. RTS and 1/f noise in Ge nanowire transistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
20Rhayem, J ; Besbes, B ; Blecic, R ; Bychikhin, Sergey ; Haberfehlner, Georg ; Pogany, Dionyz ; Desoete, B ; Gillon, R ; Wieers, A ; Tack, M "Electro-thermal characterization and simulation of integrated multi trenched XtreMOS power devicesKonferenzbeitrag Inproceedings2010