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Gaquière, Christophe
 

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1Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Pichonat, Emmanuelle ; Lancry, O ; Gaquière, Christophe ; Tsiakatouras, G ; Deligeorgis, G. ; Georgakilas, Alexandros Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN device on single crystalline diamondArtikel Article 27-Apr-2011
2Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Andrews, Aaron Maxwell ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Improvements of High Performance 2-nm-thin InAlN/AlN Barrier Devices by Interface EngineeringArtikel Article2011
3Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Skriniarova, J. ; Kovac, J ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Proposal and Performance Analysis of Normally Off n⁺⁺ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs With 1-nm-Thick InAlN BarrierArtikel Article Sep-2010
4Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Ahn, Sangil ; Detz, Hermann ; Klang, Pavel ; Andrews, Aaron Maxwell ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Improvements of High Performance 2-nm-thin InAlN/AlN Barrier Devices by Interface EnfineeringPräsentation Presentation2010
5De Jaeger, Jean-Claude ; Gaquière, Christophe ; Douvry, Yannick ; Defrance, N ; Hoel, V ; Delage, S.L. ; di Forte-Poisson, M.A. ; Sarazin, N ; Morvan, Erwin ; Alomari, M ; Kohn, Erhard ; Dussaigne, A ; Carlin, Jean-François ; Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pogany, Dionyz Microwave Power Capabilities of InAlN/GaN HEMTs"Präsentation Presentation2010
6Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pichonat, Emmanuelle ; Gaquière, Christophe ; Tsiakatouras, G ; Deligeorgis, G. ; Georgakilas, A ; Balmer, R ; Pogany, Dionyz Thermal Characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN on Single Crystalline DiamondPräsentation Presentation2010
7Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pichonat, Emmanuelle ; Gaquière, Christophe ; Morvan, Erwin ; Kohn, Erhard ; Teyssier, Jean-Pierre ; Pogany, Dionyz Self-heating phenomena in high-power III-N transistors and new thermal characterization methods developed within EU project TARGETArtikel Article 2010
8Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich ; Kuzmik, Jan A Novel Concept of High Performance FETs for Harsh EnvironmentKonferenzbeitrag Inproceedings2010
9Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich ; Kuzmik, Jan Ultrathin 2 nm Barrier HEMT for state-of-the-art fT.LG product of 16.9 GHz.µmKonferenzbeitrag Inproceedings2010
10Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
11Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; DeJaeger, Jean-Claude ; Čičo, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Ultrathin InAlN/AlN Barrier HEMT With High Performance in Normally Off OperationArtikel Article 2009
12Kohn, Erhard ; Alomari, M ; Denisenko, A ; Dipalo, M ; Maier, D ; Medjdoub, F ; Pietzka, C ; Delage, S.L. ; diForte-Poisson, M.-A. ; Morvan, Erwin ; Sarazin, N ; Jacquet, J.-C. ; Dua, C ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Py, M.A. ; Gonschorek, Marcus ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Pozzovivo, Gianmauro ; Ostermaier, Clemens ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gaquière, Christophe ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Georgakilas, A ; Iliopoulos, E ; Konstantinidis, G. ; Giessen, C ; Heuken, M ; Schineller, B InAlN/GaN Heterostructures for Microwave Power and BeyondKonferenzbeitrag Inproceedings2009
13Teyssier, Jean-Pierre ; Sommet, R ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan ; Gaquière, Christophe Thermal measurement of microwave transistors and MMIC within TARGET NoEKonferenzbeitrag Inproceedings2007
14Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Lossy, Richard ; Würfl, Hans-Joachim ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette ; Teyssier, Jean-Pierre ; Gaquière, Christophe ; Pogany, Dionyz Transient self-heating effects in multifinger AlGaN/GaN HEMTs with metal airbridgesArtikel Article2007
15Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Gaquière, Christophe ; Pichonat, Emmanuelle ; Morvan, Erwin Investigation of the thermal boundary resistance at the III-Nitride/substrate interface using optical methodsArtikel Article2007
16Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Gaquière, Christophe ; Morvan, Erwin Current conduction and saturation mechanism in AlGaN/GaN ungated structuresArtikel Article2006
17Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pichonat, Emmanuelle ; Gaquière, Christophe ; Andersson, Kristoffer ; Fager, Christian ; Teyssier, Jean-Pierre ; Würfl, Joachim ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette Thermal Characterization of HF power FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2006
18Pichonat, Emmanuelle ; Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Poisson, M.A. ; Grimbert, B ; Gaquière, Christophe Temperature analysis of AlGaN/GaN High-Electron- Mobility Transistors using micro-Raman scattering spectroscopy and Transient Interferometric MappingKonferenzbeitrag Inproceedings2006
19Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Pichonat, Emmanuelle ; Gaquière, Christophe ; Morvan, Erwin ; Pogany, Dionyz Influence of surface trapping on determination of electron saturation velocity in AlGaN/GaN structureKonferenzbeitrag Inproceedings 2006
20Kuzmik, Jan ; Bychikhin, Sergey ; Lossy, Richard ; Würfl, Hans-Joachim ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette ; Teyssier, Jean-Pierre ; Gaquière, Christophe ; Kohn, Erhard ; Pogany, Dionyz Thermal boundary resistance between GaN layer and different substrates determined by transient electrical and optical methodsKonferenzbeitrag Inproceedings 2006