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Carlin, Jean-François
 

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1Rossi, S ; Alomari, M ; Kohn, Erhard ; Zhang, E ; Weaver, J ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas Thermal Analysis of NCD Heat-Spreading Films on InAlN/GaN HEMTsPräsentation Presentation2012
2Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, C ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried E-Mode InAlN/AlN-GaN MOS-HEMTs on Si SubstratesPräsentation Presentation2012
3Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Andrews, Aaron Maxwell ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Improvements of High Performance 2-nm-thin InAlN/AlN Barrier Devices by Interface EngineeringArtikel Article2011
4Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, Clemens ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried Dependence of the threshold voltage on oxide interlayer Thickness in E-mode InAlN/AlN GaN-MOS-HEMTs on Si substratePräsentation Presentation2011
5Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, Clemens ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried Threshold Voltage Scaling In E-Mode Inaln/aln-Gan Hemts On Si SubstratesKonferenzbeitrag Inproceedings2011
6Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, C ; Pozzovivo, Gianmauro ; Schrenk, Werner ; Schmid, M. ; Toth, L. ; Pecz, B ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Strasser, Gottfried Microstructural and Electrical Analyses of Oxygen Diffusion into Iridium Metal GatesPräsentation Presentation2011
7Kuzmik, Jan ; Ostermaier, C ; Alexewicz, Alexander ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Dua, C ; Delage, S.L. ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Study of electrical performance and degradation of double-heterostructure InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN transitorsPräsentation Presentation2011
8Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Skriniarova, J. ; Kovac, J ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Proposal and Performance Analysis of Normally Off n⁺⁺ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs With 1-nm-Thick InAlN BarrierArtikel Article Sep-2010
9Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Ahn, Sangil ; Detz, Hermann ; Klang, Pavel ; Andrews, Aaron Maxwell ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Improvements of High Performance 2-nm-thin InAlN/AlN Barrier Devices by Interface EnfineeringPräsentation Presentation2010
10De Jaeger, Jean-Claude ; Gaquière, Christophe ; Douvry, Yannick ; Defrance, N ; Hoel, V ; Delage, S.L. ; di Forte-Poisson, M.A. ; Sarazin, N ; Morvan, Erwin ; Alomari, M ; Kohn, Erhard ; Dussaigne, A ; Carlin, Jean-François ; Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pogany, Dionyz Microwave Power Capabilities of InAlN/GaN HEMTs"Präsentation Presentation2010
11Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Vincze, Andrej ; Tóth, Lajos ; Pécz, Bela ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Characterization of Plasma-Induced Damage of Selectively Recessed GaN/InAlN/AlN/GaN Heterostructures Using SiCl4 and SF6Artikel Article2010
12Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich ; Kuzmik, Jan A Novel Concept of High Performance FETs for Harsh EnvironmentKonferenzbeitrag Inproceedings2010
13Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich ; Kuzmik, Jan Ultrathin 2 nm Barrier HEMT for state-of-the-art fT.LG product of 16.9 GHz.µmKonferenzbeitrag Inproceedings2010
14Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
15Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Schrenk, Werner ; Schmid, M. ; Toth, L. ; Pecz, B ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Strasser, Gottfried Microstructural and Electrical Analyses of Oxygen Diffusion into Iridium Metal GatesKonferenzbeitrag Inproceedings2010
16Pozzovivo, Gianmauro ; Ostermaier, Clemens ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan High-Electric-Field Degradation Effects in Unpassivated InAlN/GaN HEMTsPräsentation Presentation2009
17Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Depletion and Enhancement Mode InAlN/GaN HEMTs for Digital CircuitsPräsentation Presentation2009
18Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan High Performance of Thermally Stable Enhancement-Mode HEMTs on In/AlN/GaN HeterostructuresPräsentation Presentation2009
19Cico, Karol ; Kuzmik, Jan ; Liday, J. ; Husekova, K ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Vogrincic, P ; Fröhlich, Karol InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor with Al₂O₃ insulating films grown by metal organic chemical vapor deposition using Ar and NH₃ carrier gasesArtikel Article2009
20Tapajna, Milan ; Kuzmik, Jan ; Cico, Karol ; Pogany, Dionyz ; Pozzovivo, Gianmauro ; Strasser, Gottfried ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol Interface States and Trapping Effects in Al₂O₃ and ZrO₂/InAlN/AlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor HeterostructuresArtikel Article2009