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Tapajna, Milan
 

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1Tapajna, Milan ; Killat, Nicole ; Palankovski, Vassil ; Gregusova, Dagmar ; Cico, Karol ; Carlin, Jean-Francois ; Grandjean, Nicolas ; Kuball, Martin ; Kuzmik, Jan Hot-Electron-Related Degradation in InAlN/GaN High-Electron-Mobility TransistorsArtikel Article 2014
2Tapajna, Milan ; Kuzmik, Jan ; Cico, Karol ; Pogany, Dionyz ; Pozzovivo, Gianmauro ; Strasser, Gottfried ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol Interface States and Trapping Effects in Al₂O₃ and ZrO₂/InAlN/AlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor HeterostructuresArtikel Article2009
3Tapajna, Milan ; Cico, Karol ; Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Pogany, Dionyz ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol Evaluation of the interface state Density on Ni/ZrO2/InAlN/GaN MOS contactsKonferenzbeitrag Inproceedings2008
4Tapajna, Milan ; Cico, Karol ; Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Pogany, Dionyz ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol Characterization of Semiconductor/Oxide Interface States in the Al2O3/InAlN/GaN MOS structuresKonferenzbeitrag Inproceedings2008
5Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Cico, Karol ; Tapajna, Milan ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas Gate insulation and drain current saturation mechanism in InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistorsArtikel Article2007