Roussel, Ph. J.

Network Lab View Statistics Email Alert RSS Feed

Name Card

Full name Familienname, Vorname
Roussel, Ph. J.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 21-32 of 32 (Search time: 0.002 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
21Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Mitard, J. ; Witters, L. ; Hoffmann, T. Y. ; Groeseneken, G. ; Crupi, F. ; Grasser, T. On the recoverable and permanent components of Hot Carrier and NBTI in Si pMOSFETs and their implications in Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
22Kaczer, Ben ; Mahato, S. ; Valduga de Almeida Camargo, V. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Catthoor, F. ; Dobrovolny, P. ; Zuber, P. ; Wirth, G.I. ; Groeseneken, G. Atomistic Approach to Variability of Bias-Temperature Instability in Circuit SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
23Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Wirth, G.I. ; Franco, J. ; Vrancken, C. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Response of a Single Trap to AC Negative Bias Temperature StressKonferenzbeitrag Inproceedings2011
24Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Hehenberger, Philipp Paul ; Grasser, Tibor ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Witters, L. ; Hoffmann, T. Y. ; Groeseneken, G. On the impact of the Si passivation layer thickness on the NBTI of nanoscaled Si0.45Ge0.55 pMOSFETsArtikel Article 2011
25Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Franco, J. ; Degraeve, R. ; Ragnarsson, L. A. ; Simoen, E. ; Groeseneken, G. ; Reisinger, H. Origin of NBTI Variability in Deeply Scaled pFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
26Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Crupi, F. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. Implications of Channel Hot Carrier Degradation in Si0.45Ge0.55 pMOSFETsPräsentation Presentation2010
27Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Roussel, Ph. J. ; Degraeve, R. ; Franco, J. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Depth Localization of Trapped Holes in SiON after Positive and Negative Gate StressPräsentation Presentation2010
28Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Franco, J. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. Recent Trends in Bias Temperature InstabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2010
29Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Temperature Dependence of the Emission and Capture Times of SiON Individual Traps after Positive Bias Temperature StressKonferenzbeitrag Inproceedings2010
30Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Martin-Martinez, J. ; Simoen, E. ; Aoulaiche, M. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. NBTI from the Perspective of Defect States with Widely Distributed Time ScalesKonferenzbeitrag Inproceedings2009
31Kaczer, Ben ; Veloso, A. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Investigation of Bias-Temperature Instability in Work-Function-Tuned High-k/Metal-Gate StacksArtikel Article2009
32Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Martin-Martinez, J. ; O´Connor, R. ; O´Sullivan, B. J. ; Groeseneken, G. Ubiquitous Relaxation in BTI Stressing-New Evaluation and InsightsKonferenzbeitrag Inproceedings2008