Name Card

Full name Familienname, Vorname
Eneman, G.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-11 of 11 (Search time: 0.002 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Tyaginov, S. E. ; Chasin, A ; Makarov, Alexander ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; De Keersgieter, An ; Eneman, G. ; Vandemaele, Michiel ; Franco, J. ; Linten, D ; Kaczer, Ben Physics-based Modeling of Hot-Carrier Degradation in Ge NWFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
2Tyaginov, Stanislav ; El-Sayed, Al-Moatasem Bellah ; Makarov, Alexander ; Chasin, A ; Arimura, H ; Vandemaele, Michiel ; Jech, Markus ; Capogreco, Elena ; Witters, L. ; Grill, Alexander ; De Keersgieter, An ; Eneman, G. ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben Understanding and Physical Modeling Superior Hot-Carrier Reliability of Ge pNWFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
3Franco, J. ; Kaczer, B. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph.J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Witters, L. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Superior Reliability of High Mobility (Si)Ge Channel pMOSFETsArtikel Article2013
4Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
5Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Reliability of SiGe Channel MOSKonferenzbeitrag Inproceedings2012
6Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph.J. ; Grasser, T. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L.-A. ; Cho, M. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Wang, W.-E ; Hikavyy, A. ; Loo, R. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Superior NBTI reliability of SiGe channel pMOSFETs: Replacement gate, FinFETs, and impact of Body BiasKonferenzbeitrag Inproceedings2011
7Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Mitard, J. ; Witters, L. ; Hoffmann, T. Y. ; Groeseneken, G. ; Crupi, F. ; Grasser, T. On the recoverable and permanent components of Hot Carrier and NBTI in Si pMOSFETs and their implications in Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
8Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Hehenberger, Philipp Paul ; Grasser, Tibor ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Witters, L. ; Hoffmann, T. Y. ; Groeseneken, G. On the impact of the Si passivation layer thickness on the NBTI of nanoscaled Si0.45Ge0.55 pMOSFETsArtikel Article 2011
9Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Cho, M. ; Eneman, G. ; Groeseneken, G. ; Grasser, Tibor Improvements of NBTI Reliability in SiGe p-FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
10Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Mitard, J. ; Stesmans, A. ; Afanas'ev, V. ; Kauerauf, T. ; Roussel, Ph.J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Grasser, T. ; Ragnarsson, L.-A. ; Witters, L. ; Tseng, J. ; Takeoka, S. ; Wang, W.-E. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. 6Å EOT Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFET with optimized reliability (V<inf>DD</inf>=1V): Meeting the NBTI lifetime target at ultra-thin EOTKonferenzbeitrag Inproceedings2010
11Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Crupi, F. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. Implications of Channel Hot Carrier Degradation in Si0.45Ge0.55 pMOSFETsPräsentation Presentation2010