Prefix title Titel (vorangestellt)
Projektass.(FWF)
 
Full name Familienname, Vorname
TYAGINOV, Stanislav
 
Postfix title Titel (nachgestellt)
PhD
 
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PreviewAuthors / EditorsTitleTypeIssue Date
1Jech, Markus ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Tyaginov, Stanislav ; Waldhör, Dominic ; Bouakline, Foudhil ; Saalfrank, Peter ; Jabs, Dominic ; Jungemann, Christoph ; Waltl, Michael ; Grasser, Tibor Quantum Chemistry Treatment of Silicon-Hydrogen Bond Rupture by Nonequilibrium Carriers in Semiconductor DevicesArtikel Article 2021
2Makarov, Alexander ; Roussel, Philippe ; Bury, Erik ; Vandemaele, Michiel ; Spessot, Alessio ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben ; Tyaginov, Stanislav Correlated Time-0 and Hot-Carrier Stress Induced FinFET Parameter Variabilities: Modeling ApproachArtikel Article 2020
3Vasilev, Alexander ; Jech, Markus ; Grill, Alexander ; Rzepa, Gerhard ; Schleich, Christian ; Makarov, Alexander ; Pobegen, Gregor ; Grasser, Tibor ; Waltl, Michael ; Tyaginov, Stanislav Modeling the Hysteresis of Current-Voltage Characteristics in 4H-SiC TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
4Jech, Markus ; Ullmann, Bianka ; Rzepa, Gerhard ; Tyaginov, Stanislav ; Grill, Alexander ; Waltl, Michael ; Jabs, Dominic ; Jungemann, Christoph ; Grasser, Tibor Impact of Mixed Negative Bias Temperature Instability and Hot Carrier Stress on MOSFET Characteristics-Part II: TheoryArtikel Article2019
5Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Chasin, Adrian ; Vandemaele, Michiel ; Bury, Erik ; Jech, Markus ; Grill, Alexander ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Grasser, Tibor ; Linten, Dimitri ; Tyaginov, Stanislav Bi-Modal Variability of nFinFET Characteristics During Hot-Carrier Stress: A Modeling ApproachArtikel Article2019
6Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, Adrian ; Grill, Alexander ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Grasser, Tibor ; Linten, Dimitri ; Tyaginov, Stanislav Stochastic Modeling of the Impact of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in n-FinFETsArtikel Article2019
7Schleich, C. ; Berens, J. ; Rzepa, G. ; Pobegen, G. ; Rescher, G. ; Tyaginov, S. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Physical Modeling of Bias Temperature Instabilities in SiC MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
8Scharlotta, Jean-Yean ; Bersuker, Gennadi ; Tyaginov, S. E. ; Young, Chadwing ; Haase, Gaddi ; Rzepa, Gerhard ; Waltl, Michael ; Chohan, Talha ; Iyer, Subramanian ; Kotov, Alexander ; Zambelli, Cristian ; Guarin, Fernando ; Puglisi, Francesco Maria ; Ostermaier, C IIRW 2019 Discussion Group II: Reliability for Aerospace ApplicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
9Makarov, Alexander ; Roussel, Philippe ; Bury, Erik ; Vandemaele, Michiel ; Spessot, Alessio ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben ; Tyaginov, Stanislav On Correlation between Hot-Carrier Stress Induced Device Parameter Degradation and Time-Zero VariabilityKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
10Vandemaele, Michiel ; Kaczer, Ben ; Tyaginov, Stanislav ; Stanojevic, Zlatan ; Makarov, Alexander ; Chasin, Adrian ; Bury, Erik ; Mertens, Hans ; Linten, Dimitri ; Groeseneken, Guido Full ($V_{\mathrm{g}},\ V_{\mathrm{d}}$) Bias Space Modeling of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
11Makarov, A. ; Kaczer, B. ; Roussel, Ph. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Vandemaele, M. ; Hellings, G. ; El-Sayed, A.-M. ; Grasser, T. ; Linten, D. ; Tyaginov, S. Modeling the Effect of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in FinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
12Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, A ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Grasser, Tibor ; Linten, D ; Tyaginov, S. E. Simulation Study: the Effect of Random Dopants and Random Traps on Hot-Carrier Degradation in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
13Tyaginov, S. E. ; Chasin, A ; Makarov, Alexander ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; De Keersgieter, An ; Eneman, G. ; Vandemaele, Michiel ; Franco, J. ; Linten, D ; Kaczer, Ben Physics-based Modeling of Hot-Carrier Degradation in Ge NWFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
14Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, A ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Grasser, Tibor ; Linten, D ; Tyaginov, S. E. Stochastic Modeling of Hot-Carrier Degradation in nFinFETs Considering the Impact of Random Traps and Random DopantsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
15Jech, Markus ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Tyaginov, Stanislav ; Shluger, Alexander L. ; Grasser, Tibor Ab Initio Treatment of Silicon-Hydrogen Bond Rupture at Si/SiO₂ InterfacesArtikel Article2019
16Tyaginov, S. E. ; Makarov, A. A. ; Kaczer, B. ; Jech, M. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Hellings, G. ; Vexler, M. I. ; Linten, D. ; Grasser, T. Impact of the Device Geometric Parameters on Hot-Carrier Degradation in FinFETsArtikel Article2018
17Makarov, A. A. ; Tyaginov, S. E. ; Kaczer, B. ; Jech, M. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Hellings, G. ; Vexler, M. I. ; Linten, D. ; Grasser, T. Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETsArtikel Article2018
18Tyaginov, S. E. ; Makarov, A. A. ; Jech, M. ; Vexler, M. I. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Physical Principles of Self-Consistent Simulation of the Generation of Interface States and the Transport of Hot Charge Carriers in Field-Effect Transistors Based on Metal-Oxide-Semiconductor StructuresArtikel Article2018
19Tyaginov, S.E. ; Jech, M. ; Rzepa, G. ; Grill, A. ; El-Sayed, A.-M. ; Pobegen, G. ; Makarov, A. ; Grasser, T. Border Trap Based Modeling of SiC Transistor Transfer CharacteristicsKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
20Vandemaele, Michiel ; Kaczer, Ben ; Stanojevic, Zlatan ; Tyaginov, Stanislav ; Makarov, Alexander ; Chasin, Adrian ; Mertens, Hans ; Linten, Dimitri ; Groeseneken, Guido Distribution Function Based Simulations of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2018



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TitleP-Investigator
Defect-Based Modeling of SiC DevicesTYAGINOV, Stanislav