Name Card

Full name Familienname, Vorname
Degraeve, R.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-7 of 7 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Simicic, M. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Debacker, P. ; Parvais, B. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Goes, W. ; Grasser, T. The Defect-Centric Perspective of Device and Circuit Reliability - From Gate Oxide Defects to CircuitsArtikel Article 2016
2Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Goes, W. ; Grasser, T. The defect-centric perspective of device and circuit reliability — From individual defects to circuitsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
3Bury, E. ; Degraeve, R. ; Cho, M. ; Kaczer, Ben ; Gös, Wolfgang ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Study of (correlated) trap sites in SILC, BTI and RTN in SiON and HKMG DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
4Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Simoen, E. ; Degraeve, R. ; Franco, J. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Correlation of Single Trapping and Detrapping Effects in Drain and Gate Currents of Nanoscaled nFETs and pFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
5Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Franco, J. ; Degraeve, R. ; Ragnarsson, L. A. ; Simoen, E. ; Groeseneken, G. ; Reisinger, H. Origin of NBTI Variability in Deeply Scaled pFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
6Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Mitard, J. ; Stesmans, A. ; Afanas'ev, V. ; Kauerauf, T. ; Roussel, Ph.J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Grasser, T. ; Ragnarsson, L.-A. ; Witters, L. ; Tseng, J. ; Takeoka, S. ; Wang, W.-E. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. 6Å EOT Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFET with optimized reliability (V<inf>DD</inf>=1V): Meeting the NBTI lifetime target at ultra-thin EOTKonferenzbeitrag Inproceedings2010
7Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Roussel, Ph. J. ; Degraeve, R. ; Franco, J. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Depth Localization of Trapped Holes in SiON after Positive and Negative Gate StressPräsentation Presentation2010