Name Card

Full name Familienname, Vorname
Stesmans, A.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-4 of 4 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Grasser, T. ; Goes, W. ; Wimmer, Y. ; Schanovsky, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Rott, K. ; Reisinger, H. ; Afanas'ev, V.V. ; Stesmans, A. ; El-Sayed, Al-Moatasem Bellah ; Shluger, A.L. On the microscopic structure of hole traps in pMOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2014
2Kaczer, B. ; Afanas'ev, V. V. ; Rott, K. ; Cerbu, F. ; Franco, J. ; Goes, W. ; Grasser, T. ; Madia, O. ; Nguyen, A. P. D. ; Stesmans, A. ; Reisinger, H. ; Toledano-Luque, M. ; Weckx, P. Experimental characterization of BTI defectsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
3Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Mitard, J. ; Stesmans, A. ; Afanas'ev, V. ; Kauerauf, T. ; Roussel, Ph.J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Grasser, T. ; Ragnarsson, L.-A. ; Witters, L. ; Tseng, J. ; Takeoka, S. ; Wang, W.-E. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. 6Å EOT Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFET with optimized reliability (V<inf>DD</inf>=1V): Meeting the NBTI lifetime target at ultra-thin EOTKonferenzbeitrag Inproceedings2010
4Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Stesmans, A. ; Afanas´Ev, V. ; Martens, K. ; Aoulaiche, M. ; Grasser, Tibor ; Mitard, J. ; Groeseneken, G. Impact of Si-Passivation Thickness and Processing on NBTI Reliability of Ge and SiGe pMOSFETsPräsentation Presentation2009