Name Card

Full name Familienname, Vorname
Mitard, J.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-15 of 15 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Waltl, M. ; Rzepa, G. ; Grill, A. ; Goes, W. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Witters, L. ; Mitard, J. ; Horiguchi, N. ; Grasser, T. Superior NBTI in High-k SiGe Transistors - Part I: ExperimentalArtikel Article 2017
2Waltl, M. ; Rzepa, G. ; Grill, A. ; Goes, W. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Witters, L. ; Mitard, J. ; Horiguchi, N. ; Grasser, T. Superior NBTI in High-k SiGe Transistors - Part II: TheoryArtikel Article 2017
3Waltl, M. ; Grill, A. ; Rzepa, G. ; Goes, W. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Mitard, J. ; Grasser, T. Nanoscale evidence for the superior reliability of SiGe high-k pMOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2016
4Boschke, Roman ; Linten, D ; Hellings, Geert ; Chen, S.-H. ; Scholz, M ; Mitard, J. ; Mertens, H. ; Witters, L. ; Van Campenhout, Joris ; Verheyen, Peter ; Pogany, Dionyz ; Groeseneken, Guido ESD Characterization of Germanium diodesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
5Franco, J. ; Kaczer, B. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph.J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Witters, L. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Superior Reliability of High Mobility (Si)Ge Channel pMOSFETsArtikel Article2013
6Franco, J. ; Kaczer, B. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Sioncke, S. ; Witters, L. ; Mertens, H. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Understanding the suppressed charge trapping in relaxed- and strained-Ge/SiO<inf>2</inf>/HfO<inf>2</inf> pMOSFETs and implications for the screening of alternative high-mobility substrate/dielectric CMOS gate stacksKonferenzbeitrag Inproceedings2013
7Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
8Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L. A. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Grasser, Tibor ; Asenov, A Impact of Single Charged Gate Oxide Defects on the Performance and Scaling of Nanoscaled FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
9Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Reliability of SiGe Channel MOSKonferenzbeitrag Inproceedings2012
10Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph.J. ; Grasser, T. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L.-A. ; Cho, M. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Wang, W.-E ; Hikavyy, A. ; Loo, R. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Superior NBTI reliability of SiGe channel pMOSFETs: Replacement gate, FinFETs, and impact of Body BiasKonferenzbeitrag Inproceedings2011
11Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Mitard, J. ; Witters, L. ; Hoffmann, T. Y. ; Groeseneken, G. ; Crupi, F. ; Grasser, T. On the recoverable and permanent components of Hot Carrier and NBTI in Si pMOSFETs and their implications in Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
12Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Hehenberger, Philipp Paul ; Grasser, Tibor ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Witters, L. ; Hoffmann, T. Y. ; Groeseneken, G. On the impact of the Si passivation layer thickness on the NBTI of nanoscaled Si0.45Ge0.55 pMOSFETsArtikel Article 2011
13Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Mitard, J. ; Stesmans, A. ; Afanas'ev, V. ; Kauerauf, T. ; Roussel, Ph.J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Grasser, T. ; Ragnarsson, L.-A. ; Witters, L. ; Tseng, J. ; Takeoka, S. ; Wang, W.-E. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. 6Å EOT Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFET with optimized reliability (V<inf>DD</inf>=1V): Meeting the NBTI lifetime target at ultra-thin EOTKonferenzbeitrag Inproceedings2010
14Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Crupi, F. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. Implications of Channel Hot Carrier Degradation in Si0.45Ge0.55 pMOSFETsPräsentation Presentation2010
15Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Stesmans, A. ; Afanas´Ev, V. ; Martens, K. ; Aoulaiche, M. ; Grasser, Tibor ; Mitard, J. ; Groeseneken, G. Impact of Si-Passivation Thickness and Processing on NBTI Reliability of Ge and SiGe pMOSFETsPräsentation Presentation2009