Full name Familienname, Vorname
Roussel, Ph.J.
 

Results 1-7 of 7 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Simicic, M. ; Chasin, A. ; Linten, D. ; Parvais, B. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Grasser, T. A Brief Overview of Gate Oxide Defect Properties and Their Relation to MOSFET Instabilities and Device and Circuit Time-Dependent VariabilityArtikel Article 2018
2Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Simicic, M. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Debacker, P. ; Parvais, B. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Goes, W. ; Grasser, T. The Defect-Centric Perspective of Device and Circuit Reliability - From Gate Oxide Defects to CircuitsArtikel Article 2016
3Franco, J. ; Kaczer, B. ; Waldron, N. ; Roussel, Ph.J. ; Alian, A. ; Pourghaderi, M. A. ; Ji, Z. ; Grasser, T. ; Kauerauf, T. ; Sioncke, S. ; Collaert, N. ; Thean, A. ; Groeseneken, G. RTN and PBTI-induced time-dependent variability of replacement metal-gate high-k InGaAs FinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2014
4Franco, J. ; Kaczer, B. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph.J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Witters, L. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Superior Reliability of High Mobility (Si)Ge Channel pMOSFETsArtikel Article2013
5Toledano-Luque, M. ; Kaczer, B. ; Franco, J. ; Roussel, Ph.J. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Defect-Centric Perspective of Time-Dependent BTI VariabilityArtikel Article2012
6Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph.J. ; Grasser, T. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L.-A. ; Cho, M. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Wang, W.-E ; Hikavyy, A. ; Loo, R. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Superior NBTI reliability of SiGe channel pMOSFETs: Replacement gate, FinFETs, and impact of Body BiasKonferenzbeitrag Inproceedings2011
7Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Mitard, J. ; Stesmans, A. ; Afanas'ev, V. ; Kauerauf, T. ; Roussel, Ph.J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Grasser, T. ; Ragnarsson, L.-A. ; Witters, L. ; Tseng, J. ; Takeoka, S. ; Wang, W.-E. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. 6Å EOT Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFET with optimized reliability (V<inf>DD</inf>=1V): Meeting the NBTI lifetime target at ultra-thin EOTKonferenzbeitrag Inproceedings2010