Name Card

Full name Familienname, Vorname
Crupi, F.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-5 of 5 (Search time: 0.002 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Kaczer, B. ; Franco, J. ; Cho, M. ; Grasser, T. ; Roussel, Ph. J. ; Tyaginov, S. ; Bina, M. ; Wimmer, Y. ; Procel, L. M. ; Trojman, L. ; Crupi, F. ; Pitner, G. ; Putcha, V. ; Weckx, P. ; Bury, E. ; Ji, Z. ; De Keersgieter, A. ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Thean, A. Origins and implications of increased channel hot carrier variability in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
2Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
3Franco, J. ; Graziano, S. ; Kaczer, B. ; Crupi, F. ; Ragnarsson, L.-Å. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. BTI Reliability of Ultra-Thin EOT MOSFETs for Sub-Threshold LogicArtikel Article2012
4Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Mitard, J. ; Witters, L. ; Hoffmann, T. Y. ; Groeseneken, G. ; Crupi, F. ; Grasser, T. On the recoverable and permanent components of Hot Carrier and NBTI in Si pMOSFETs and their implications in Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
5Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Crupi, F. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. Implications of Channel Hot Carrier Degradation in Si0.45Ge0.55 pMOSFETsPräsentation Presentation2010