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Hellings, Geert
 

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1Tyaginov, Stanislav ; Grill, Alexander ; Vandemaele, Michiel ; Grasser, Tibor ; Hellings, Geert ; Makarov, Alexander ; Jech, Markus ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben A Compact Physics Analytical Model for Hot-Carrier DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
2Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, A ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Grasser, Tibor ; Linten, D ; Tyaginov, S. E. Simulation Study: the Effect of Random Dopants and Random Traps on Hot-Carrier Degradation in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
3Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, A ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Grasser, Tibor ; Linten, D ; Tyaginov, S. E. Stochastic Modeling of Hot-Carrier Degradation in nFinFETs Considering the Impact of Random Traps and Random DopantsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
4Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Chasin, Adrian ; Vandemaele, Michiel ; Bury, Erik ; Jech, Markus ; Grill, Alexander ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Grasser, Tibor ; Linten, Dimitri ; Tyaginov, Stanislav Bi-Modal Variability of nFinFET Characteristics During Hot-Carrier Stress: A Modeling ApproachArtikel Article 2019
5Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, Adrian ; Grill, Alexander ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Grasser, Tibor ; Linten, Dimitri ; Tyaginov, Stanislav Stochastic Modeling of the Impact of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in n-FinFETsArtikel Article 2019
6Kaczer, Ben ; Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Chasin, A ; Putcha, Vamsi ; Bury, E. ; Simicic, Marko ; Roussel, Ph. J. ; Hellings, Geert ; Veloso, A. ; Matagne, Ph ; Grasser, Tibor ; Linten, D Benchmarking Time-Dependent Variability of Junctionless Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
7Boschke, Roman ; Linten, D ; Hellings, Geert ; Chen, S.-H. ; Scholz, M ; Mitard, J. ; Mertens, H. ; Witters, L. ; Van Campenhout, Joris ; Verheyen, Peter ; Pogany, Dionyz ; Groeseneken, Guido ESD Characterization of Germanium diodesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
8Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
9Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Reliability of SiGe Channel MOSKonferenzbeitrag Inproceedings2012