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Prechtl, G.
 

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1Ostermaier, C ; Lagger, Peter Willibald ; Reiner, Maria ; Pobegen, G. ; Pogany, Dionyz ; Prechtl, G. ; Detzel, T. ; Häberlen, O. The role of defects on reliability aspects in GaN power devicesPräsentation Presentation2019
2Ostermaier, C. ; Lagger, P. ; Prechtl, G. ; Grill, A. ; Grasser, T. ; Pogany, D. Dynamics of Carrier Transport via AlGaN Barrier in AlGaN/GaN MIS-HEMTsArtikel Article 2017
3Ostermaier, C ; Lagger, Peter Willibald ; Prechtl, G. ; Grill, Alexander ; Grasser, Tibor ; Pogany, Dionyz The role of electron transport in the charge trapping at the III-N/dielectric interface in AlGaN/GaN MIS-HEMT structuresPräsentation Presentation2015
4Lagger, Peter Willibald ; Donsa, Stefan ; Spreitzer, P. ; Pobegen, G. ; Reiner, Maria ; Naharashi, H. ; Mohamed, J. ; Mösslacher, M. ; Prechtl, G. ; Pogany, Dionyz ; Ostermaier, C Thermal activation of PBTI-related stress and recovery processes in GaN MIS-HEMTs using on-wafer heatersKonferenzbeitrag Inproceedings2015
5Reiner, Maria ; Lagger, Peter Willibald ; Prechtl, G. ; Steinschifter, Patrick ; Pietschnig, R ; Pogany, Dionyz ; Ostermaier, Clemens Modification of "Native" Surface Donor States in AlGaN/GaN MIS-HEMTs by Fluorination: Perspective for Defect EngineeringKonferenzbeitrag Inproceedings2015