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Simonka, Vito
 
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1Toifl, Alexander ; Simonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Selberherr, Siegfried ; Grasser, Tibor ; Weinbub, Josef Simulation of the Effects of Postimplantation Annealing on Silicon Carbide DMOSFET CharacteristicsArtikel Article 2019
2Diamantopoulos, Georgios ; Manstetten, Paul ; Gnam, Lukas ; Simonka, Vito ; Aguinsky, Luiz Felipe ; Quell, Michael ; Toifl, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef Recent Advances in High Performance Process TCADKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
3Woerle, Judith ; Šimonka, Vito ; Müller, Elisabeth ; Hössinger, Andreas ; Sigg, Hans ; Selberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef ; Camarda, Massimo ; Grossner, Ulrike Surface Morphology of 4H-SiC After Thermal OxidationArtikel Article 2019
4Simonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried Empirical Model for Electrical Activation of Aluminum- and Boron-Implanted Silicon CarbideArtikel Article 4-Jan-2018
5Simonka, Vito Advancements In Annealing And Oxidation Steps For Compound Semiconductor Power DevicesPräsentation Presentation2018
6Simonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Selberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef Investigation of Post-Implantation Annealing for Phosphorus-Implanted 4H-Silicon CarbideKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
7Toifl, Alexander ; Simonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Selberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef Steady-State Empirical Model for Electrical Activation of Silicon-Implanted Gallium NitrideKonferenzbeitrag Inproceedings2018
8Šimonka, V. ; Toifl, A. ; Hössinger, A. ; Selberherr, S. ; Weinbub, J. Transient Model for Electrical Activation of Aluminium and Phosphorus-Implanted Silicon CarbideArtikel Article 2018
9Šimonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried Modeling and Simulation of Electrical Activation of Acceptor-Type Dopants in Silicon CarbideArtikel Article 2018
10Simonka, Vito Natancni Fizikalni Modeli 3D Simulatorjev Proizvodnje Mikroelektronskih NapravPräsentation Presentation2017
11Šimonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried ReaxFF Reactive Molecular Dynamics Study of Orientation Dependence of Initial Silicon Carbide OxidationArtikel Article 2017
12Šimonka, Vito ; Nawratil, Georg ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried Anisotropic Interpolation Method of Silicon Carbide Oxidation Growth Rates for Three-Dimensional SimulationArtikel Article 2017
13Manstetten, Paul ; Simonka, Vito ; Diamantopoulos, Georgios ; Gnam, Lukas ; Makarov, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef Computational and Numerical Challenges in Semiconductor Process SimulationKonferenzbeitrag Inproceedings 2017
14Simonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried Modeling of electrical activation ratios of phosphorus and nitrogen doped silicon carbideKonferenzbeitrag Inproceedings2017
15Simonka, Vito ; Nawratil, Georg ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried Geometrical Aspects of Three-Dimensional Silicon Carbide Oxidation Growth Rate ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings 2016
16Simonka, Vito ; Nawratil, Georg ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried Direction Dependent Three-Dimensional Silicon Carbide Oxidation Growth Rate CalculationsKonferenzbeitrag Inproceedings2016
17Simonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried Three-dimensional growth rate modeling and simulation of silicon carbide thermal oxidationKonferenzbeitrag Inproceedings2016
18Šimonka, V. ; Hössinger, A. ; Weinbub, J. ; Selberherr, S. Growth Rates of Dry Thermal Oxidation of 4H-Silicon CarbideArtikel Article 2016