Full name Familienname, Vorname
Simicic, M.
 

Results 1-5 of 5 (Search time: 0.002 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Stampfer, B. ; Simicic, M. ; Weckx, P. ; Abbasi, A. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Statistical Characterization of BTI and RTN using Integrated pMOS ArraysKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
2Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Simicic, M. ; Chasin, A. ; Linten, D. ; Parvais, B. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Grasser, T. A Brief Overview of Gate Oxide Defect Properties and Their Relation to MOSFET Instabilities and Device and Circuit Time-Dependent VariabilityArtikel Article 2018
3Rzepa, G. ; Franco, J. ; O’Sullivan, B. ; Subirats, A. ; Simicic, M. ; Hellings, G. ; Weckx, P. ; Jech, M. ; Knobloch, T. ; Waltl, M. ; Roussel, P.J. ; Linten, D. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Comphy -- A Compact-Physics Framework for Unified Modeling of BTIArtikel Article 2018
4Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Simicic, M. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Debacker, P. ; Parvais, B. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Goes, W. ; Grasser, T. The Defect-Centric Perspective of Device and Circuit Reliability - From Gate Oxide Defects to CircuitsArtikel Article 2016
5Gerrer, Louis ; Hussin, Razaidi ; Amoroso, Salvatore M. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Simicic, M. ; Horiguchi, N. ; Kaczer, Ben ; Grasser, T. ; Asenov, Asen Experimental evidences and simulations of trap generation along a percolation pathKonferenzbeitrag Inproceedings2015