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Mikolajick, Thomas
 

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1Roemer Christian ; Darbandy, Ghader ; Schwarz Mike ; Trommer, Jens ; Heinzig, Andre ; Mikolajick, Thomas ; Weber, Walter M. ; Iniguez, Benjamin ; Kloes, Alexander Uniform DC Compact Model for Schottky Barrier and Reconfigurable Field-Effect TransistorsInproceedings Konferenzbeitrag19-Apr-2021
2Jeon, Dae-Young ; Park, So Jeong ; Pregl, Sebastian ; Mikolajick, Thomas ; Weber, Walter M. Reconfigurable thin-film transistors based on a parallel array of Si-nanowiresArtikel Article 2021
3Simon, Maik ; Mizuta, Ryo ; Fan, Ye ; Tahn, Alexander ; Pohl, Darius ; Trommer, Jens ; Hofmann, Stephan ; Mikolajick, Thomas ; Weber, Walter M. Lateral Extensions to Nanowires for Controlling Nickel Silicidation Kinetics: Improving Contact Uniformity of Nanoelectronic DevicesArtikel Article 2021
4Krause, Andreas ; Langklotz, Ulrike ; Pohl, Diana ; Tkacheva, Olga ; Pohl, Darius ; Nielsch, Kornelius ; Mikolajick, Thomas ; Weber, Walter M. Surface related differences between uncoated versus carbon-coated Silicon Nanowire Electrodes on performance in Lithium Ion BatteriesArtikel Article 2020
5Trommer, Jens ; Simon, Maik ; Slesazeck, Stefan ; Weber, Walter M. ; Mikolajick, Thomas Inherent Charge-Sharing-Free Dynamic Logic Gates Employing Transistors With Multiple Independent InputsArtikel Article 2020
6Sessi, Violetta ; Simon, Maik ; Mulaosmanovic, Halid ; Pohl, Darius ; Loeffler, Markus ; Mauersberger, Tom ; Fengler, Franz P. G. ; Mittmann, Terence ; Richter, Claudia ; Slesazeck, Stefan ; Mikolajick, Thomas ; Weber, Walter M. A Silicon Nanowire Ferroelectric Field-Effect TransistorArtikel Article 2020
7Park, So Jeong ; Jeon, Dae-Young ; Sessi, Violetta ; Trommer, Jens ; Heinzig, André ; Mikolajick, Thomas ; Kim, Gyu-Tae ; Weber, Walter M. Channel Length-Dependent Operation of Ambipolar Schottky-Barrier Transistors on a Single Si NanowireArtikel Article 2020
8Trommer, Jens ; Simon, Maik ; Slesazeck, Stefan ; Weber, Walter M. ; Mikolajick, Thomas Eliminating Charge Sharing in Clocked Logic Gates on the Device Level Employing Transistors with Multiple Independent InputsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
9Mauersberger, Tom ; Ibrahim, Imad ; Grube, Matthias ; Heinzig, André ; Mikolajick, Thomas ; Weber, Walter M. Size effect of electron properties in highly arsenic-doped silicon nanowiresArtikel Article 2019