International Conference on the Simulation of Semiconductor Devices and Processes (SISDEP)

Event name
International Conference on the Simulation of Semiconductor Devices and Processes (SISDEP)
 
Start date
26-09-1988
End date
28-09-1988
 
Location
Bologna
Country
Austria
 
Event format Veranstaltungsformat
On Site

Publications Publikationen

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PreviewAuthors / EditorsTitleTypeIssue Date
1Strasser, E. ; Selberherr, S. A General Simulation Method for Etching and Deposition ProcessesKonferenzbeitrag Inproceedings1993
2Kosina, H. ; Harrer, M. ; Vogl, P. ; Selberherr, S. A Monte Carlo Transport Model Based on Spherical Harmonics Expansion of the Valence BandsKonferenzbeitrag Inproceedings1995
3Kausel, Wolfgang ; Nanz, Gerd ; Selberherr, Siegfried ; Pötzl, Hans A New Boundary Condition for Device Simulation Considering Outer ComponentsKonferenzbeitrag Inproceedings1988
4Fasching, Franz ; Fischer, Claus ; Selberherr, Siegfried ; Stippel, Hannes ; Tuppa, Walter ; Read, Howard A PIF Implementation for TCAD PurposesKonferenzbeitrag Inproceedings1991
5Rieger, G. ; Halama, S. ; Selberherr, S. A Programmable Tool for Interactive Wafer-State Level Data ProcessingKonferenzbeitrag Inproceedings1995
6Pimingstorfer, Hubert ; Halama, Stefan ; Selberherr, Siegfried ; Wimmer, Karl ; Verhas, Peter A Technology CAD ShellKonferenzbeitrag Inproceedings1991
7Schrom, G. ; Selberherr, S. ; Unterleitner, F. ; Trontelj, J. ; Kunc, V. Analysis of a CMOS-Compatible Vertical Bipolar TransistorKonferenzbeitrag Inproceedings1993
8Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Analysis of Filter Techniques for Monte-Carlo Device SimulationKonferenzbeitrag Inproceedings1991
9Burenkov, A. ; Bohmayr, W. ; Lorenz, J. ; Ryssel, H. ; Selberherr, S. Analytical Model for Phosphorus Large Angle Tilted ImplantationKonferenzbeitrag Inproceedings1995
10Verhas, Peter ; Selberherr, Siegfried Automatic Device CharacterizationKonferenzbeitrag Inproceedings1991
11Nanz, Gerd ; Dickinger, Peter ; Kausel, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Avalanche Breakdown in the ALDMOSTKonferenzbeitrag Inproceedings1988
12Straker, F. ; Selberherr, Siegfried Capacitance Computation for VLSI StructuresKonferenzbeitrag Inproceedings1984
13Hackel, M. ; Kosina, H. ; Selberherr, S. Electron Transport in Silicon Dioxide at Intermediate and High Electric FieldsKonferenzbeitrag Inproceedings1993
14Deutschmann, R. ; Fischer, C. ; Sala, C. ; Selberherr, S. Evaluation of Effective Device Parameters by Comparison of Measured and Simulated C-V Characteristics for Conventional and Pseudomorphic HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings1993
15Budil, Matthias ; Jüngling, Werner ; Guerrero, E. ; Selberherr, Siegfried ; Pötzl, Hans Modeling of Point Defect Kinetics During Thermal OxidationKonferenzbeitrag Inproceedings1986
16Thurner, Martin ; Lindorfer, Philipp ; Selberherr, Siegfried Numerical Treatment of Nonrectangular Field-Oxide for 3D MOSFET SimulationKonferenzbeitrag Inproceedings1988
17Mlekus, R. ; Ledl, Ch. ; Strasser, E. ; Selberherr, S. Polygonal Geometry Reconstruction after Cellular Etching or Deposition SimulationKonferenzbeitrag Inproceedings1995
18Heinreichsberger, O. ; Thurner, M. ; Selberherr, S. Practical Use of a Hierarchical Linear Solver Concept for 3D MOS Device SimulationKonferenzbeitrag Inproceedings1993
19Pichler, Ch. ; Selberherr, S. Process Flow Representation within the VISTA FrameworkKonferenzbeitrag Inproceedings1993
20Bohmayr, W. ; Burenkov, A. ; Lorenz, J. ; Ryssel, H. ; Selberherr, S. Statistical Accuracy and CPU Time Characteristic of Three Trajectory Split Methods for Monte Carlo Simulation of Ion ImplantationKonferenzbeitrag Inproceedings1995