2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)

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Description

Event name
2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
 
Event type
Event for scientific audience
 
Start date
03-09-2013
End date
05-09-2013
 
Location
Glasgow
Country
United Kingdom
 
Event format Veranstaltungsformat
On Site

Publications Publikationen

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PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Schanovsky, F. ; Goes, W. ; Grasser, T. Advanced modeling of charge trapping at oxide defectsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
2Schanovsky, F. ; Baumgartner, O. ; Goes, W. ; Grasser, T. A detailed evaluation of model defects as candidates for the bias temperature instabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2013
3Baumgartner, O. ; Bina, M. ; Goes, W. ; Schanovsky, F. ; Toledano-Luque, M. ; Kaczer, B. ; Kosina, H. ; Grasser, T. Direct tunneling and gate current fluctuationsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
4Zisser, W. H. ; Ceric, H. ; de Orio, R. L. ; Selberherr, S. Electromigration analyses of open TSVsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
5Coppeta, R. A. ; Ceric, H. ; Karunamurthy, B. ; Grasser, T. Epitaxial Volmer-Weber growth modellingKonferenzbeitrag Inproceedings2013
6Osintsev, Dmitri ; Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried Evaluation of spin lifetime in strained UT2B silicon-on-insulator MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
7Kaczer, B. ; Afanas'ev, V. V. ; Rott, K. ; Cerbu, F. ; Franco, J. ; Goes, W. ; Grasser, T. ; Madia, O. ; Nguyen, A. P. D. ; Stesmans, A. ; Reisinger, H. ; Toledano-Luque, M. ; Weckx, P. Experimental characterization of BTI defectsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
8Neophytou, Neophytos ; Stanojevic, Zlatan ; Kosina, Hans Full band calculations of low-field mobility in p-type silicon nanowire MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
9Ceric, H. ; Singulani, A. Pires ; de Orio, R. L. ; Selberherr, S. Impact of intermetallic compound on solder bump electromigration reliabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2013
10de Orio, R. L. ; Ceric, H. ; Selberherr, S. Influence of temperature on the standard deviation of electromigration lifetimesKonferenzbeitrag Inproceedings2013
11Filipovic, Lidija ; Baumgartner, Oskar ; Kosina, Hans Modeling direct band-to-band tunneling using QTBMKonferenzbeitrag Inproceedings2013
12Filipovic, Lado ; Selberherr, Siegfried ; Mutinati, G. C. ; Brunet, E. ; Steinhauer, S. ; Köck, Anton ; Teva, Jordi ; Kraft, J. ; Siegert, Joerg ; Schrank, F. ; Gspan, Christian ; Grogger, Werner Modeling the growth of thin SnO2 films using spray pyrolysis depositionKonferenzbeitrag Inproceedings2013
13Mahmoudi, Hiwa ; Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried Performance analysis and comparison of two 1T/1MTJ-based logic gatesKonferenzbeitrag Inproceedings2013
14Amoroso, S. M. ; Gerrer, L. ; Asenov, A. ; Sellier, J. M. ; Dimov, I. ; Nedjalkov, M. ; Selberherr, S. Quantum insights in gate oxide charge-trapping dynamics in nanoscale MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
15Windbacher, Thomas ; Mahmoudi, Hiwa ; Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried Rigorous simulation study of a novel non-volatile magnetic flip-flopKonferenzbeitrag Inproceedings2013
16Singulani, A. P. ; Ceric, H. ; Selberherr, S. Stress estimation in open tungsten TSVKonferenzbeitrag Inproceedings2013
17Stanojevic, Z. ; Kosina, H. Surface-roughness-scattering in non-planar channels — The role of band anisotropyKonferenzbeitrag Inproceedings2013
18Sellier, J. M. ; Nedjalkov, M. ; Dimov, I. ; Selberherr, S. Two-dimensional transient wigner particle modelKonferenzbeitrag Inproceedings2013