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Grandjean, Nicolas
 

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1Tapajna, Milan ; Killat, Nicole ; Palankovski, Vassil ; Gregusova, Dagmar ; Cico, Karol ; Carlin, Jean-Francois ; Grandjean, Nicolas ; Kuball, Martin ; Kuzmik, Jan Hot-Electron-Related Degradation in InAlN/GaN High-Electron-Mobility TransistorsArtikel Article 2014
2Kohn, Erhard ; Alomari, M ; Gao, Z. ; Rossi, S ; Dussaigne, A ; Carlin, J.-F ; Grandjean, Nicolas ; Aretouli, K.E. ; Adikimenakis, A ; Konstantinidis, G. ; Georgakilas, A ; Zhang, Y ; Weaver, J ; Calvo, J. A. ; Kuball, M. ; Bychikhin, Sergey ; Kuzmik, J. ; Pogany, Dionyz ; Toth, L. ; Pecz, B ; Kovacs, A. Direct Interpretation of Diamond Heat Spreader with GaN-Based HEMT Device StructuresKonferenzbeitrag Inproceedings2014
3Kuzmik, Jan ; Vitanov, Stanislav ; Dua, Christian ; Carlin, Jean-Francois ; Ostermaier, Clemens ; Alexewicz, Alexander ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich ; Grandjean, Nicolas ; Delage, Sylvain ; Palankovski, Vassil Buffer-Related Degradation Aspects of Single and Double-Heterostructure Quantum Well InAlN/GaN High-Electron-Mobility TransistorsArtikel Article2012
4Rossi, S ; Alomari, M ; Kohn, Erhard ; Zhang, E ; Weaver, J ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas Thermal Analysis of NCD Heat-Spreading Films on InAlN/GaN HEMTsPräsentation Presentation2012
5Jurkovic, M ; Gregusova, Dagmar ; Hascik, S. ; Blaho, M. ; Molnar, Marian ; Palankovski, Vassil ; Donoval, D ; Carlin, J.-F ; Grandjean, Nicolas ; Kuzmik, J. GaN/InAlN/AlN/GaN Normally-Off HEMT with Etched Access RegionKonferenzbeitrag Inproceedings2012
6Jurkovic, M ; Gregusova, Dagmar ; Hascik, S. ; Blaho, M. ; Cico, Karol ; Palankovski, Vassil ; Carlin, J.-F ; Grandjean, Nicolas ; Kuzmik, Jan Polarization Engineered Normally-Off GaN/InlN/AlN/GaN HEMTKonferenzbeitrag Inproceedings2012
7Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, C ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried E-Mode InAlN/AlN-GaN MOS-HEMTs on Si SubstratesPräsentation Presentation2012
8Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Andrews, Aaron Maxwell ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Improvements of High Performance 2-nm-thin InAlN/AlN Barrier Devices by Interface EngineeringArtikel Article2011
9Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, Clemens ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried Dependence of the threshold voltage on oxide interlayer Thickness in E-mode InAlN/AlN GaN-MOS-HEMTs on Si substratePräsentation Presentation2011
10Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, Clemens ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried Threshold Voltage Scaling In E-Mode Inaln/aln-Gan Hemts On Si SubstratesKonferenzbeitrag Inproceedings2011
11Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, C ; Pozzovivo, Gianmauro ; Schrenk, Werner ; Schmid, M. ; Toth, L. ; Pecz, B ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Strasser, Gottfried Microstructural and Electrical Analyses of Oxygen Diffusion into Iridium Metal GatesPräsentation Presentation2011
12Kuzmik, Jan ; Ostermaier, C ; Alexewicz, Alexander ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Dua, C ; Delage, S.L. ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Study of electrical performance and degradation of double-heterostructure InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN transitorsPräsentation Presentation2011
13Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Skriniarova, J. ; Kovac, J ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Proposal and Performance Analysis of Normally Off n⁺⁺ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs With 1-nm-Thick InAlN BarrierArtikel Article Sep-2010
14Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Ahn, Sangil ; Detz, Hermann ; Klang, Pavel ; Andrews, Aaron Maxwell ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Improvements of High Performance 2-nm-thin InAlN/AlN Barrier Devices by Interface EnfineeringPräsentation Presentation2010
15Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Vincze, Andrej ; Tóth, Lajos ; Pécz, Bela ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Characterization of Plasma-Induced Damage of Selectively Recessed GaN/InAlN/AlN/GaN Heterostructures Using SiCl4 and SF6Artikel Article2010
16Čičo, Karol ; Gregušová, Dagmar ; Gaži, Štefan ; Šoltýs, Ján ; Kuzmík, Ján ; Carlin, Jean‐François ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionýz ; Fröhlich, Karol Optimization of the ohmic contact processing in InAlN/GaN high electron mobility transistors for lower temperature of annealingArtikel Article2010
17Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich ; Kuzmik, Jan A Novel Concept of High Performance FETs for Harsh EnvironmentKonferenzbeitrag Inproceedings2010
18Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich ; Kuzmik, Jan Ultrathin 2 nm Barrier HEMT for state-of-the-art fT.LG product of 16.9 GHz.µmKonferenzbeitrag Inproceedings2010
19Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
20Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Schrenk, Werner ; Schmid, M. ; Toth, L. ; Pecz, B ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Strasser, Gottfried Microstructural and Electrical Analyses of Oxygen Diffusion into Iridium Metal GatesKonferenzbeitrag Inproceedings2010

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1Ostermaier Clemens - 2011 - Ultra-thin InAlNAlN barrier enhancement-mode high...pdf.jpgOstermaier, ClemensUltra-thin InAlN/AlN barrier enhancement-mode high electron mobility transistorsThesis Hochschulschrift 2011