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Karlowatz, Gerhard
 
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1Floss, Sebastian ; Kaltenbacher, Manfred ; Karlowatz, Gerhard Application and simulation of Micro-Perforated Panels in HVAC SystemsArtikel Article2018
2Karlowatz Gerhard - 2009 - Advanced Monte Carlo simulation for semiconductor...pdf.jpgKarlowatz, Gerhard Advanced Monte Carlo simulation for semiconductor devicesThesis Hochschulschrift 2009
3Sverdlov, V. ; Karlowatz, G. ; Dhar, S. ; Kosina, H. ; Selberherr, S. Two-Band k.p Model for the Conduction Band in Silicon: Impact of Strain and Confinement on Band Structure and MobilityArtikel Article2008
4Karlowatz, G. ; Wessner, W. ; Kosina, H. Effect of Band Structure Discretization on the Performance of Full-Band Monte Carlo SimulationArtikel Article2008
5Ceric, Hajdin ; Dhar, Siddhartha ; Karlowatz, Gerhard ; Li, Ling ; Pourfath, Mahdi ; Selberherr, Siegfried VISTA Status Report June 2007Bericht Report2007
6Sverdlov, Viktor ; Karlowatz, Gerhard ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Two-Band k.p Model for the Conduction Band in SiliconKonferenzbeitrag Inproceedings2007
7Sverdlov, Viktor ; Karlowatz, Gerhard ; Dhar, Siddhartha ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Two-Band k·p Model for the Conduction Band in Silicon: Impact of Strain and Confinement on Band Structure and MobilityKonferenzbeitrag Inproceedings2007
8Ungersboeck, E. ; Dhar, S. ; Karlowatz, G. ; Sverdlov, V. ; Kosina, H. ; Selberherr, S. The Effect of General Strain on the Band Structure and Electron Mobility of SiliconArtikel Article2007
9Ungersboeck, Enzo ; Dhar, Siddhartha ; Karlowatz, Gerhard ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Physical Modeling of Electron Mobility Enhancement for Arbitrarily Strained SiliconArtikel Article 2007
10Sverdlov, V. A. ; Karlowatz, G. ; Ungersboeck, E. ; Kosina, H. Influence of Uniaxial [110] Stress on the Silicon Conduction Band Structure: Stress Dependence of the Nonparabolicity ParameterKonferenzbeitrag Inproceedings2007
11Karlowatz, Gerhard ; Ungersböck, Stephan Enzo ; Wessner, Wilfried ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Analysis of Hole Transport in Arbitrarily Strained GermaniumKonferenzbeitrag Inproceedings2006
12Dhar, Siddhartha ; Kosina, Hans ; Karlowatz, Gerhard ; Ungersboeck, Stephan Enzo ; Grasser, Tibor ; Selberherr, Siegfried High-Field Electron Mobility Model for Strained-Silicon DevicesArtikel Article2006
13Dhar, Siddhartha ; Karlowatz, Gerhard ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Physical Modeling of Electron Mobility Enhancement for Arbitrarily Strained SiliconKonferenzbeitrag Inproceedings 2006
14Dhar, Siddhartha ; Kosina, Hans ; Karlowatz, Gerhard ; Ungersböck, Stephan Enzo ; Grasser, Tibor ; Selberherr, Siegfried A Tensorial High-Field Electron Mobility Model for Strained SiliconKonferenzbeitrag Inproceedings 2006
15Karlowatz, Gerhard ; Wessner, Wilfried ; Kosina, Hans Effect of Band Structure Discretization on the Performance of Full-Band Monte Carlo SimulationKonferenzbeitrag Inproceedings2006
16Karlowatz, G. ; Ungersboeck, E. ; Wessner, W. ; Kosina, H. Full-Band Monte Carlo Analysis of Electron Transport in Arbitrarily Strained SiliconKonferenzbeitrag Inproceedings2006
17Karlowatz, Gerhard ; Ungersböck, Stephan Enzo ; Wessner, Wilfried ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Analysis of Hole Transport in Arbitrarily Strained GermaniumBuchbeitrag Book Contribution2006
18Dhar, Siddhartha ; Karlowatz, Gerhard ; Ungersböck, Stephan Enzo ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Modeling of Velocity-Field Characteristics in Strained SiliconKonferenzbeitrag Inproceedings2005
19Dhar, S. ; Karlowatz, G. ; Ungersboeck, E. ; Kosina, H. Numerical and Analytical Modeling of the High-Field Electron Mobility in Strained SiliconKonferenzbeitrag Inproceedings2005
20Karlowatz, Gerhard Messung akustischer Vierpolparameter von Materialien in einer SchallröhreThesis Hochschulschrift2000