Name Card

Full name Familienname, Vorname
Kaczer, B.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-20 of 63 (Search time: 0.003 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Michl, J. ; Grill, Alexander ; Stampfer, B. ; Waldhoer, D. ; Schleich, Christian ; Knobloch, T. ; Ioannidis, E. ; Enichlmair, H. ; Minixhofer, R. ; Kaczer, B. ; Parvais, B. ; Govoreanu, Bogdan ; Radu, I. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Evidence of Tunneling Driven Random Telegraph Noise in Cryo-CMOSInproceedings Konferenzbeitrag2021
2Franco, J. ; Arimura, H. ; de Marneffe, J.-F. ; Vandooren, A. ; Ragnarsson, L.-A ; Wu, Z. ; Claes, D. ; Litta, E. Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, K. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Novel low thermal budget gate stack solutions for BTI reliability in future Logic Device technologies : Invited paperKonferenzbeitrag Inproceedings2021
3Grasser, T. ; O'Sullivan, B. ; Kaczer, B. ; Franco, J. ; Stampfer, B. ; Waltl, M. CV Stretch-Out Correction after Bias Temperature Stress: Work-Function Dependence of Donor-/Acceptor-Like Traps, Fixed Charges, and Fast StatesKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
4Kruv, A. ; Kaczer, B. ; Grill, A ; Gonzalez, M. ; Franco, J. ; Linten, D. ; Goes, W. ; Grasser, T. ; De Wolf, I. On the impact of mechanical stress on gate oxide trappingKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
5Michl, J. ; Grill, A. ; Claes, D. ; Rzepa, G. ; Kaczer, B. ; Linten, D. ; Radu, I. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Quantum Mechanical Charge Trap Modeling to Explain BTI at Cryogenic TemperaturesKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
6Grasser, T. ; Kaczer, B. ; O'Sullivan, B. ; Rzepa, G. ; Stampfer, B. ; Waltl, M. The Mysterious Bipolar Bias Temperature Stress from the Perspective of Gate-Sided Hydrogen ReleaseKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
7Grill, A. ; Bury, E. ; Michl, J. ; Tyaginov, S. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Parvais, B. ; Kaczer, B. ; Waltl, M. ; Radu, I. Reliability and Variability of Advanced CMOS Devices at Cryogenic TemperaturesKonferenzbeitrag Inproceedings2020
8Makarov, A. ; Kaczer, B. ; Roussel, Ph. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Vandemaele, M. ; Hellings, G. ; El-Sayed, A.-M. ; Grasser, T. ; Linten, D. ; Tyaginov, S. Modeling the Effect of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in FinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
9O'Sullivan, B.J. ; Ritzenthaler, R. ; Rzepa, G. ; Wu, Z. ; Litta, E. Dentoni ; Richard, O. ; Conard, T. ; Machkaoutsan, V. ; Fazan, P. ; Kim, C. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Spessot, A. ; Linten, D ; Horiguchi, N. Gate-Stack Engineered NBTI Improvements in Highvoltage Logic-For-Memory High-ĸ/Metal Gate DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2019
10Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Claes, D. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Low Thermal Budget Dual-Dipole Gate Stacks Engineered for Sufficient BTI Reliability in Novel Integration SchemesKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
11Stampfer, B. ; Simicic, M. ; Weckx, P. ; Abbasi, A. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Statistical Characterization of BTI and RTN using Integrated pMOS ArraysKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
12Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A. ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Work-Function Metal on the Charge Trapping Component of NBTI and PBTIArtikel Article 2019
13Jech, M. ; Tyaginov, S. ; Kaczer, B. ; Franco, J. ; Jabs, D. ; Jungemann, C. ; Waltl, M. ; Grasser, T. First–Principles Parameter–Free Modeling of n– and p–FET Hot–Carrier DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
14Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Metal Work-Function on the Charge Trapping Component of BTIKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
15Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Ragnarsson, L. -A ; Hellings, G. ; Brus, S. ; Cott, D. ; De Heyn, V. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Ryckaert, J. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. BTI Reliability Improvement Strategies in Low Thermal Budget Gate Stacks for 3D Sequential IntegrationKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
16Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Simicic, M. ; Chasin, A. ; Linten, D. ; Parvais, B. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Grasser, T. A Brief Overview of Gate Oxide Defect Properties and Their Relation to MOSFET Instabilities and Device and Circuit Time-Dependent VariabilityArtikel Article 2018
17Rzepa, G. ; Franco, J. ; O’Sullivan, B. ; Subirats, A. ; Simicic, M. ; Hellings, G. ; Weckx, P. ; Jech, M. ; Knobloch, T. ; Waltl, M. ; Roussel, P.J. ; Linten, D. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Comphy -- A Compact-Physics Framework for Unified Modeling of BTIArtikel Article 2018
18Tyaginov, S. E. ; Makarov, A. A. ; Jech, M. ; Vexler, M. I. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Physical Principles of Self-Consistent Simulation of the Generation of Interface States and the Transport of Hot Charge Carriers in Field-Effect Transistors Based on Metal-Oxide-Semiconductor StructuresArtikel Article 2018
19Tyaginov, S. E. ; Makarov, A. A. ; Kaczer, B. ; Jech, M. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Hellings, G. ; Vexler, M. I. ; Linten, D. ; Grasser, T. Impact of the Device Geometric Parameters on Hot-Carrier Degradation in FinFETsArtikel Article 2018
20Makarov, A. A. ; Tyaginov, S. E. ; Kaczer, B. ; Jech, M. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Hellings, G. ; Vexler, M. I. ; Linten, D. ; Grasser, T. Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETsArtikel Article 2018