Name Card

Full name Familienname, Vorname
Groeseneken, G.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-20 of 52 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A. ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Work-Function Metal on the Charge Trapping Component of NBTI and PBTIArtikel Article 2019
2Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Metal Work-Function on the Charge Trapping Component of BTIKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
3Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Ragnarsson, L. -A ; Hellings, G. ; Brus, S. ; Cott, D. ; De Heyn, V. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Ryckaert, J. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. BTI Reliability Improvement Strategies in Low Thermal Budget Gate Stacks for 3D Sequential IntegrationKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
4Franco, J. ; Putcha, V. ; Vais, A. ; Sioncke, S. ; Waldron, N. ; Zhou, D. ; Rzepa, G. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. ; Heyns, M. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Characterization of oxide defects in InGaAs MOS gate stacks for high-mobility n-channel MOSFETs (invited)Konferenzbeitrag Inproceedings 2017
5Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Simicic, M. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Debacker, P. ; Parvais, B. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Goes, W. ; Grasser, T. The Defect-Centric Perspective of Device and Circuit Reliability - From Gate Oxide Defects to CircuitsArtikel Article 2016
6Kaczer, B. ; Franco, J. ; Cho, M. ; Grasser, T. ; Roussel, Ph. J. ; Tyaginov, S. ; Bina, M. ; Wimmer, Y. ; Procel, L. M. ; Trojman, L. ; Crupi, F. ; Pitner, G. ; Putcha, V. ; Weckx, P. ; Bury, E. ; Ji, Z. ; De Keersgieter, A. ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Thean, A. Origins and implications of increased channel hot carrier variability in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
7Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Goes, W. ; Grasser, T. The defect-centric perspective of device and circuit reliability — From individual defects to circuitsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
8Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Franco, J. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, J. ; Cho, M. ; Simoen, E. ; Groeseneken, G. Recent Trends in Bias Temperature InstabilityBuchbeitrag Book Contribution2015
9Kaczer, Ben ; Chen, C. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Watt, J. T. ; Chanda, K. ; Groeseneken, G. ; Grasser, Tibor Maximizing reliable performance of advanced CMOS circuits-A case studyKonferenzbeitrag Inproceedings2014
10Bury, E. ; Degraeve, R. ; Cho, M. ; Kaczer, Ben ; Gös, Wolfgang ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Study of (correlated) trap sites in SILC, BTI and RTN in SiON and HKMG DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
11Franco, J. ; Kaczer, B. ; Waldron, N. ; Roussel, Ph.J. ; Alian, A. ; Pourghaderi, M. A. ; Ji, Z. ; Grasser, T. ; Kauerauf, T. ; Sioncke, S. ; Collaert, N. ; Thean, A. ; Groeseneken, G. RTN and PBTI-induced time-dependent variability of replacement metal-gate high-k InGaAs FinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2014
12Kaczer, Ben ; Chen, C. S. ; Watt, J. T. ; Chanda, K. ; Weckx, P. ; Toledano-Luque, M. ; Groeseneken, G. ; Grasser, Tibor Reliability and Performance Considerations for NMOSFET Pass Gates in FPGA ApplicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
13Franco, J. ; Kaczer, B. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph.J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Mitard, J. ; Eneman, G. ; Witters, L. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Superior Reliability of High Mobility (Si)Ge Channel pMOSFETsArtikel Article2013
14Franco, J. ; Kaczer, B. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Sioncke, S. ; Witters, L. ; Mertens, H. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Understanding the suppressed charge trapping in relaxed- and strained-Ge/SiO<inf>2</inf>/HfO<inf>2</inf> pMOSFETs and implications for the screening of alternative high-mobility substrate/dielectric CMOS gate stacksKonferenzbeitrag Inproceedings2013
15Weckx, P. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Groeseneken, G. Defect-based Methodology for Workload-dependent Circuit Lifetime Projections - Application to SRAMKonferenzbeitrag Inproceedings2013
16Kaczer, B. ; Toledano-Luque, M. ; Goes, W. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Gate Current Random Telegraph Noise and Single Defect ConductionArtikel Article2013
17Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. ; Schwarz, Benedikt ; Bina, Markus ; Waltl, Michael ; Wagner, Paul-Jürgen ; Grasser, Tibor Reduction of the BTI Time-Dependent Variability in Nanoscaled MOSFETs by Body BiasKonferenzbeitrag Inproceedings2013
18Chen, S.-H. ; Griffoni, A ; Srivastava, P ; Linten, D ; Thijs, S ; Scholz, M ; Denis, Marcon ; Gallerano, A ; Lafonteese, D ; Concannon, A ; Vashchenko, V.A. ; Hopper, P ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Van Hove, Marleen ; Decoutere, S. ; Groeseneken, G. HBM ESD Robustness of GaN-on-Si Schottky DiodesArtikel Article Dec-2012
19Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
20Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Asenov, A ; Groeseneken, G. Impact of Individual Charged Gate-Oxide Defects on the Entire ID -VG Characteristic of Nanoscaled FETsArtikel Article2012