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Asenov, A
 

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1Lorenz, J. ; Asenov, A ; Baer, Eberhard ; Barraud, Sylvain ; Millar, C. ; Nedjalkov, Mihail Process Variability for Devices at and Beyond the 7nm NodeBuchbeitrag Book Contribution 2018
2Medina-Bailón, C. ; Sadi, T. ; Nedjalkov, Mihail ; Lee, J. ; Berrada, S. ; Carillo-Nunez, H. ; Georgiev, V. ; Selberherr, Siegfried ; Asenov, A Study of the 1D Scattering Mechanisms' Impact on the Mobility in Si Nanowire TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
3Medina-Bailón, C. ; Sadi, T. ; Nedjalkov, Mihail ; Lee, J. ; Berrada, S. ; Carillo-Nunez, H. ; Georgiev, V. ; Selberherr, Siegfried ; Asenov, A Study of the 1D Scattering Mechanisms' Impact on the Mobility in Si Nanowire TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
4Medina-Bailón, C. ; Sadi, T. ; Nedjalkov, Mihail ; Lee, J. ; Berrada, S. ; Carillo-Nunez, H. ; Georgiev, Vihar ; Selberherr, Siegfried ; Asenov, A Impact of the Effective Mass on the Mobility in Si Nanowire TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2018
5Sadi, T. ; Towie, Ewan ; Nedjalkov, Mihail ; Asenov, A ; Selberherr, Siegfried Monte Carlo Particles in Quantum Wires: Effects of the ConfinementKonferenzbeitrag Inproceedings2017
6Wang, L. ; Sadi, T. ; Brown, A.R. ; Nedjalkov, Mihail ; Alexander, Craig ; Cheng, B. ; Millar, C. ; Asenov, A Simulation Analysis of the Electro-Thermal Performance of SOI FinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2016
7Nedjalkov, Mihail ; Ellinghaus, Paul ; Weinbub, Josef ; Selberherr, Siegfried ; Sadi, T. ; Asenov, A ; Wang, L. ; Amoroso, S. M. ; Towie, Ewan Physical Models for Variation-Aware Device SimulationPräsentation Presentation2016
8Kaczer, Ben ; Amoroso, S. M. ; Hussin, Razaidi ; Asenov, A ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Rzepa, Gerhard ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, N. On the distribution of the FET threshold voltage shifts due to individual charged gate oxide defectsKonferenzbeitrag Inproceedings2016
9Wang, L. ; Sadi, T. ; Nedjalkov, Mihail ; Brown, A.R. ; Alexander, Craig ; Cheng, B. ; Millar, C. ; Asenov, A An Advanced Electro-Thermal Simulation Methodology For Nanoscale DeviceKonferenzbeitrag Inproceedings 2015
10Wang, L. ; Brown, A.R. ; Nedjalkov, Mihail ; Alexander, Craig ; Cheng, B. ; Millar, C. ; Asenov, A Impact of Self-Heating on the Statistical Variability in Bulk and SOI FinFETsArtikel Article 2015
11Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Asenov, A ; Groeseneken, G. Impact of Individual Charged Gate-Oxide Defects on the Entire ID -VG Characteristic of Nanoscaled FETsArtikel Article2012
12Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L. A. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Grasser, Tibor ; Asenov, A Impact of Single Charged Gate Oxide Defects on the Performance and Scaling of Nanoscaled FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
13Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Asenov, A ; Schwarz, Benedikt ; Bina, Markus ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. The Relevance of Deeply-Scaled FET Threshold Voltage Shifts for Operation LifetimesKonferenzbeitrag Inproceedings2012
14Ferrari, G ; Jacoboni, C. ; Nedjalkov, Mihail ; Asenov, A Introducing Energy Broadening in Semiclassical Monte Carlo SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings 2006