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Simbürger, Werner
 

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1Fleury, Clement ; Simbürger, Werner ; Pogany, Dionyz Effect of TLP rise time on ESD failure modes of collector-base junction of SiGe heterojunction bipolar transistorsPräsentation Presentation2019
2Fleury, Clément ; Simbürger, Werner ; Pogany, Dionyz Effect of TLP rise time on ESD failure modes of collector-base junction of SiGe heterojunction bipolar transistorsArtikel Article 2019
3Simbürger, Werner ; Rigato, Matteo ; Fleury, Clement ; Pogany, Dionyz ; Willemen, Joost ; Vendt, V ; Schwingshackl, T ; D´Arbonneau, A ESD Protection Devices and Technologies: Recent Advances and TrendsPräsentation Presentation2016
4Rigato, Matteo ; Fleury, Clement ; Pogany, Dionyz ; Simbürger, Werner Transient interferometric mapping technique (TIM): an effective tools to understand ESD and device breakdownPräsentation Presentation2015
5Rigato, Matteo ; Fleury, Clément ; Heer, Michael ; Capriotti, Mattia ; Simbürger, Werner ; Pogany, Dionyz ESD characterization of mulit-finger RF nMOSFET transistors by TLP and transient interferometric mapping techniqueArtikel Article 2015
6Rigato, Matteo ; Fleury, Clement ; Heer, Michael ; Simbürger, Werner ; Pogany, Dionyz ESD characterization of multi-finger RF nMOSFET transistors by TLP and transient interferometric mapping techniquePräsentation Presentation2015
7Fleury, Clement ; Rigato, Matteo ; Simbürger, Werner ; Pogany, Dionyz Transient Interferometric Mapping of SiGe-base RF BJTs in 0,35 μm B7HFV technology under ESD stressPräsentation Presentation2014
8Rigato, Matteo ; Fleury, Clement ; Simbürger, Werner ; Pogany, Dionyz ESD characterization of RF-NMOS transistors in 0.13 μm CMOS technology with transient interferometric mappingPräsentation Presentation2014
9Trotta, Saverio ; Knapp, H. ; Aufinger, K. ; Meister, T.F. ; Böck, J. ; Simbürger, Werner ; Scholtz, Arpad Ludwig A Fundamental VCO with Integrated Output Buffer beyond 120 GHz in SiGe Bipolar TechnologyKonferenzbeitrag Inproceedings 2007
10Trotta, Saverio ; Knapp, H. ; Dibra, Donald ; Aufinger, K. ; Meister, T.F. ; Böck, J. ; Simbürger, Werner ; Scholtz, Arpad Ludwig A 79GHz SiGe-Bipolar Spread-Spectrum TX for Automotive RadarKonferenzbeitrag Inproceedings 2007
11Trotta, Saverio ; Dehlink, Bernhard ; Knapp, H. ; Aufinger, K. ; Meister, T.F. ; Böck, J. ; Simbürger, Werner ; Scholtz, Arpad Ludwig SiGe Circuits for Spread Spectrum Automotive RadarKonferenzbeitrag Inproceedings 2007
12Trotta, Saverio ; Knapp, Herbert ; Aufinger, Klaus ; Meister, Thomas F. ; Bock, Josef ; Dehlink, Bernhard ; Simburger, Werner ; Scholtz, Arpad Ludwig An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar TechnologyArtikel Article 2007
13Trotta, Saverio ; Knapp, H. ; Aufinger, K. ; Meister, T.F. ; Böck, J. ; Simbürger, Werner ; Scholtz, Arpad Ludwig An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar TechnologyKonferenzbeitrag Inproceedings 2006
14Trotta, Saverio ; Knapp, H. ; Meister, T.F. ; Aufinger, K. ; Böck, J. ; Dehlink, Bernhard ; Simbürger, Werner ; Scholtz, Arpad Ludwig A New Regenarative Divider by Four up to 160 GHz in SiGe Bipolar TechnologyKonferenzbeitrag Inproceedings 2006
15Trotta, Saverio ; Knapp, H. ; Meister, T.F. ; Aufinger, K. ; Böck, J. ; Simbürger, Werner ; Scholtz, Arpad Ludwig 110-GHz static frequency divider in SiGe bipolar technologyKonferenzbeitrag Inproceedings 2005
16Simbürger, Werner ; Aufinger, K. ; Böck, J. ; Boguth, S. ; Kehrer, Daniel ; Kienmayer, Christoph ; Knapp, H. ; Meister, T.F. ; Perndl, Werner ; Rest, M. ; Sandner, C. ; Schäfer, H. ; Schreiter, R. ; Stengl, R. ; Thüringer, R. ; Tiebout, Marc ; Wohlmuth, H.D. ; Wurzer, M. ; Scholtz, Arpad Ludwig Silicon-based RF ICs up to 100GHz: Research Trends and ApplicationsKonferenzbeitrag Inproceedings 2004

Contributing Publications Mitbeteiligte Publikationen


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1Bakalski, Winfried Integrated 2.45 GHz power amplifierThesis Hochschulschrift2001