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Fröhlich, Karol
 

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1Cico, Karol ; Jurkovic, M ; Gregusova, Dagmar ; Kuzmik, Jan ; Alexewicz, Alexander ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette ; Pogany, Dionyz ; Strasser, Gottfried ; Delage, S.L. ; Fröhlich, Karol Impact of forming gas annealing on electrical characteristics of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3 gate insulation and passivationPräsentation Presentation2011
2Kuzmik, Jan ; Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; De Jaeger, Jean-Claude ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Skriniarova, J. ; Kovac, J ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Proposal and Performance Analysis of Normally Off n⁺⁺ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs With 1-nm-Thick InAlN BarrierArtikel Article Sep-2010
3Čičo, Karol ; Gregušová, Dagmar ; Gaži, Štefan ; Šoltýs, Ján ; Kuzmík, Ján ; Carlin, Jean‐François ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionýz ; Fröhlich, Karol Optimization of the ohmic contact processing in InAlN/GaN high electron mobility transistors for lower temperature of annealingArtikel Article2010
4Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Depletion and Enhancement Mode InAlN/GaN HEMTs for Digital CircuitsPräsentation Presentation2009
5Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan High Performance of Thermally Stable Enhancement-Mode HEMTs on In/AlN/GaN HeterostructuresPräsentation Presentation2009
6Cico, Karol ; Kuzmik, Jan ; Liday, J. ; Husekova, K ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Vogrincic, P ; Fröhlich, Karol InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor with Al₂O₃ insulating films grown by metal organic chemical vapor deposition using Ar and NH₃ carrier gasesArtikel Article2009
7Tapajna, Milan ; Kuzmik, Jan ; Cico, Karol ; Pogany, Dionyz ; Pozzovivo, Gianmauro ; Strasser, Gottfried ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol Interface States and Trapping Effects in Al₂O₃ and ZrO₂/InAlN/AlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor HeterostructuresArtikel Article2009
8Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Douvry, Yannick ; Gaquière, Christophe ; DeJaeger, Jean-Claude ; Čičo, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Ultrathin InAlN/AlN Barrier HEMT With High Performance in Normally Off OperationArtikel Article 2009
9Kohn, Erhard ; Alomari, M ; Denisenko, A ; Dipalo, M ; Maier, D ; Medjdoub, F ; Pietzka, C ; Delage, S.L. ; diForte-Poisson, M.-A. ; Morvan, Erwin ; Sarazin, N ; Jacquet, J.-C. ; Dua, C ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Py, M.A. ; Gonschorek, Marcus ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Pozzovivo, Gianmauro ; Ostermaier, Clemens ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gaquière, Christophe ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Georgakilas, A ; Iliopoulos, E ; Konstantinidis, G. ; Giessen, C ; Heuken, M ; Schineller, B InAlN/GaN Heterostructures for Microwave Power and BeyondKonferenzbeitrag Inproceedings2009
10Ostermaier, Clemens ; Kuzmik, Jan ; Carlin, Jean-François ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz High Performance normally-on and normally-off n++ GaN/InAlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2009
11Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Thermally Stable InAIN/GaN Enhancement-Mode HEMTs with highly doped GaN CapKonferenzbeitrag Inproceedings2009
12Kuzmik, Jan ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette ; Gregusova, Dagmar ; Sarazin, N ; Morvan, Erwin ; Fröhlich, Karol ; Delage, S.L. ; Pogany, Dionyz On state breakdown in InAlN/GaN HEMTKonferenzbeitrag Inproceedings2008
13Cico, Karol ; Gregusova, Dagmar ; Kuzmik, Jan ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette ; Lalinsky, T. ; Pogany, Dionyz ; Delage, S.L. ; Fröhlich, Karol InAlN/GaN MOSHEMT with Al2O3 insulating filmKonferenzbeitrag Inproceedings2008
14Tapajna, Milan ; Cico, Karol ; Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Pogany, Dionyz ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol Evaluation of the interface state Density on Ni/ZrO2/InAlN/GaN MOS contactsKonferenzbeitrag Inproceedings2008
15Tapajna, Milan ; Cico, Karol ; Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Pogany, Dionyz ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol Characterization of Semiconductor/Oxide Interface States in the Al2O3/InAlN/GaN MOS structuresKonferenzbeitrag Inproceedings2008
16Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMT with Al₂O₃ gate insulation grown by CVDArtikel Article 2008
17Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Cico, Karol ; Tapajna, Milan ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas Gate insulation and drain current saturation mechanism in InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistorsArtikel Article2007
18Cico, Karol ; Kuzmik, Jan ; Gregusova, Dagmar ; Stoklas, R ; Lalinsky, T. ; Georgakilas, A ; Pogany, Dionyz ; Fröhlich, Karol Optimization and performance of Al₂O₃/GaN metal-oxide-semiconductor structuresArtikel Article2007
19Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Abermann, Stephan ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Grandjean, Nicolas ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Gate insulation and current collapse suppression in InAlN/GaN HEMTs using High-k dielectricsKonferenzbeitrag Inproceedings2007
20Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMTs with Al2O3 gate insulation prepared by CVDKonferenzbeitrag Inproceedings2007