Gonschorek, Marcus

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Gonschorek, Marcus
 

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21Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Ostermaier, Clemens ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Gornik, Erich ; Pogany, Dionyz Analysis od degradation mechanisms in InAlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2009
22Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Abermann, Stephan ; Ostermaier, Clemens ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Liday, J. ; Grandjean, Nicolas ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Recent Improvements on InAlN/GaN MOS-HEMTsPräsentation Presentation2008
23Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Abermann, Stephan ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Technology and Performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs With Gate Insulation and Current Collapse Suppression Using ZrO₂ or HfO₂Artikel Article2008
24Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Off-state breakdown in InAlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2008
25Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMT with Al₂O₃ gate insulation grown by CVDArtikel Article 2008
26Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Cico, Karol ; Tapajna, Milan ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas Gate insulation and drain current saturation mechanism in InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistorsArtikel Article2007
27Kuzmik, Jan ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Kostopoulos, Anasthassios ; Konstantinidis, G. ; Pozzovivo, Gianmauro ; Golka, Sebastian ; Georgakilas, A ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Gate-lag and drain-lag effects in (GaN)/InAlN/GaN and InAlN/AlN/GaN HEMTsArtikel Article2007
28Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette ; Delage, S.L. ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Optimization of the plasma etching in fabrication of InAlN/AlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2007
29Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Abermann, Stephan ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Grandjean, Nicolas ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Gate insulation and current collapse suppression in InAlN/GaN HEMTs using High-k dielectricsKonferenzbeitrag Inproceedings2007
30Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMTs with Al2O3 gate insulation prepared by CVDKonferenzbeitrag Inproceedings2007
31Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Cico, Karol ; Golka, Sebastian ; Schrenk, Werner ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Technology and performance of Al2O3/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2007