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Ragnarsson, L. A.
 

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1Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Kimura, Y ; Nyns, L ; Wu, Zhicheng ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Waldhör, Dominic ; Claes, Dieter ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Afanas´Ev, V. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Atomic Hydrogen Exposure to Enable High-Quality Low-Temperature SiO<sub>2</sub> with Excellent pMOS NBTI Reliability Compatible with 3D Sequential Tier StackingKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
2Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Claes, Dieter ; Litta, Eugenio Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, Kristof ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment for Superior NBTI Reliability -- Demonstration and Modeling across SiO2 IL Thicknesses from 1.8 to 0.6 nm for I/O and Core LogicKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
3Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Subirats, A ; Jech, Markus ; Chasin, A ; Grill, Alexander ; Waltl, Michael ; Knobloch, Theresia ; Stampfer, Bernhard ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Ragnarsson, L. A. ; Linten, D ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Efficient Physical Defect Model Applied to PBTI in High-κ StacksKonferenzbeitrag Inproceedings2017
4Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
5Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L. A. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Grasser, Tibor ; Asenov, A Impact of Single Charged Gate Oxide Defects on the Performance and Scaling of Nanoscaled FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
6Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Reliability of SiGe Channel MOSKonferenzbeitrag Inproceedings2012
7Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Franco, J. ; Degraeve, R. ; Ragnarsson, L. A. ; Simoen, E. ; Groeseneken, G. ; Reisinger, H. Origin of NBTI Variability in Deeply Scaled pFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2010