Full name Familienname, Vorname
Chiarella, T.
 

Results 1-5 of 5 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Subirats, A ; Jech, Markus ; Chasin, A ; Grill, Alexander ; Waltl, Michael ; Knobloch, Theresia ; Stampfer, Bernhard ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Ragnarsson, L. A. ; Linten, D ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Efficient Physical Defect Model Applied to PBTI in High-κ StacksKonferenzbeitrag Inproceedings2017
2Rzepa, Gerhard ; Waltl, Michael ; Gös, Wolfgang ; Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Grasser, Tibor Complete Extraction of Defect Bands Responsible for Instabilities in n and pFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2016
3Kaczer, B. ; Franco, J. ; Cho, M. ; Grasser, T. ; Roussel, Ph. J. ; Tyaginov, S. ; Bina, M. ; Wimmer, Y. ; Procel, L. M. ; Trojman, L. ; Crupi, F. ; Pitner, G. ; Putcha, V. ; Weckx, P. ; Bury, E. ; Ji, Z. ; De Keersgieter, A. ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Thean, A. Origins and implications of increased channel hot carrier variability in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
4Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L. A. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Grasser, Tibor ; Asenov, A Impact of Single Charged Gate Oxide Defects on the Performance and Scaling of Nanoscaled FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
5Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph.J. ; Grasser, T. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L.-A. ; Cho, M. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Wang, W.-E ; Hikavyy, A. ; Loo, R. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Superior NBTI reliability of SiGe channel pMOSFETs: Replacement gate, FinFETs, and impact of Body BiasKonferenzbeitrag Inproceedings2011