Full name Familienname, Vorname
Weckx, P.
 

Results 1-16 of 16 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Stampfer, B. ; Simicic, M. ; Weckx, P. ; Abbasi, A. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Statistical Characterization of BTI and RTN using Integrated pMOS ArraysKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
2Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Simicic, M. ; Chasin, A. ; Linten, D. ; Parvais, B. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Grasser, T. A Brief Overview of Gate Oxide Defect Properties and Their Relation to MOSFET Instabilities and Device and Circuit Time-Dependent VariabilityArtikel Article 2018
3Rzepa, G. ; Franco, J. ; O’Sullivan, B. ; Subirats, A. ; Simicic, M. ; Hellings, G. ; Weckx, P. ; Jech, M. ; Knobloch, T. ; Waltl, M. ; Roussel, P.J. ; Linten, D. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Comphy -- A Compact-Physics Framework for Unified Modeling of BTIArtikel Article 2018
4Kaczer, Ben ; Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Chasin, A ; Putcha, Vamsi ; Bury, E. ; Simicic, Marko ; Roussel, Ph. J. ; Hellings, Geert ; Veloso, A. ; Matagne, Ph ; Grasser, Tibor ; Linten, D Benchmarking Time-Dependent Variability of Junctionless Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
5Chasin, A ; Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Putcha, Vamsi ; Weckx, P. ; Ritzenthaler, Romain ; Mertens, H. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Rzepa, Gerhard BTI Reliability and Time-Dependent Variability of Stacked Gate-All-Around Si Nanowire TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
6Kaczer, Ben ; Amoroso, S. M. ; Hussin, Razaidi ; Asenov, A ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Rzepa, Gerhard ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, N. On the distribution of the FET threshold voltage shifts due to individual charged gate oxide defectsKonferenzbeitrag Inproceedings2016
7Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Simicic, M. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Debacker, P. ; Parvais, B. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Goes, W. ; Grasser, T. The Defect-Centric Perspective of Device and Circuit Reliability - From Gate Oxide Defects to CircuitsArtikel Article 2016
8Gerrer, Louis ; Hussin, Razaidi ; Amoroso, Salvatore M. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Simicic, M. ; Horiguchi, N. ; Kaczer, Ben ; Grasser, T. ; Asenov, Asen Experimental evidences and simulations of trap generation along a percolation pathKonferenzbeitrag Inproceedings2015
9Kaczer, B. ; Franco, J. ; Cho, M. ; Grasser, T. ; Roussel, Ph. J. ; Tyaginov, S. ; Bina, M. ; Wimmer, Y. ; Procel, L. M. ; Trojman, L. ; Crupi, F. ; Pitner, G. ; Putcha, V. ; Weckx, P. ; Bury, E. ; Ji, Z. ; De Keersgieter, A. ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Thean, A. Origins and implications of increased channel hot carrier variability in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
10Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Goes, W. ; Grasser, T. The defect-centric perspective of device and circuit reliability — From individual defects to circuitsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
11Kaczer, Ben ; Chen, C. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Watt, J. T. ; Chanda, K. ; Groeseneken, G. ; Grasser, Tibor Maximizing reliable performance of advanced CMOS circuits-A case studyKonferenzbeitrag Inproceedings2014
12Kaczer, Ben ; Chen, C. S. ; Watt, J. T. ; Chanda, K. ; Weckx, P. ; Toledano-Luque, M. ; Groeseneken, G. ; Grasser, Tibor Reliability and Performance Considerations for NMOSFET Pass Gates in FPGA ApplicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2013
13Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe J. ; Toledano-Luque, M. ; Weckx, P. ; Grasser, Tibor Relevance of non-exponential single-defect-induced threshold voltage shifts for NBTI VariabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2013
14Weckx, P. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Groeseneken, G. Defect-based Methodology for Workload-dependent Circuit Lifetime Projections - Application to SRAMKonferenzbeitrag Inproceedings2013
15Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Roussel, Philippe J. ; Bina, Markus ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Weckx, P. ; Groeseneken, Guido Degradation of time dependent variability due to interface state generationKonferenzbeitrag Inproceedings 2013
16Kaczer, B. ; Afanas'ev, V. V. ; Rott, K. ; Cerbu, F. ; Franco, J. ; Goes, W. ; Grasser, T. ; Madia, O. ; Nguyen, A. P. D. ; Stesmans, A. ; Reisinger, H. ; Toledano-Luque, M. ; Weckx, P. Experimental characterization of BTI defectsKonferenzbeitrag Inproceedings2013