Name Card

Full name Familienname, Vorname
Linten, D.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-18 of 18 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Franco, J. ; Arimura, H. ; de Marneffe, J.-F. ; Vandooren, A. ; Ragnarsson, L.-A ; Wu, Z. ; Claes, D. ; Litta, E. Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, K. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Novel low thermal budget gate stack solutions for BTI reliability in future Logic Device technologies : Invited paperKonferenzbeitrag Inproceedings2021
2Kruv, A. ; Kaczer, B. ; Grill, A ; Gonzalez, M. ; Franco, J. ; Linten, D. ; Goes, W. ; Grasser, T. ; De Wolf, I. On the impact of mechanical stress on gate oxide trappingKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
3Michl, J. ; Grill, A. ; Claes, D. ; Rzepa, G. ; Kaczer, B. ; Linten, D. ; Radu, I. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Quantum Mechanical Charge Trap Modeling to Explain BTI at Cryogenic TemperaturesKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
4Grill, A. ; Bury, E. ; Michl, J. ; Tyaginov, S. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Parvais, B. ; Kaczer, B. ; Waltl, M. ; Radu, I. Reliability and Variability of Advanced CMOS Devices at Cryogenic TemperaturesKonferenzbeitrag Inproceedings2020
5Makarov, A. ; Kaczer, B. ; Roussel, Ph. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Vandemaele, M. ; Hellings, G. ; El-Sayed, A.-M. ; Grasser, T. ; Linten, D. ; Tyaginov, S. Modeling the Effect of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in FinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
6Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Claes, D. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Low Thermal Budget Dual-Dipole Gate Stacks Engineered for Sufficient BTI Reliability in Novel Integration SchemesKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
7Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A. ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Work-Function Metal on the Charge Trapping Component of NBTI and PBTIArtikel Article 2019
8Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Metal Work-Function on the Charge Trapping Component of BTIKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
9Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Ragnarsson, L. -A ; Hellings, G. ; Brus, S. ; Cott, D. ; De Heyn, V. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Ryckaert, J. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. BTI Reliability Improvement Strategies in Low Thermal Budget Gate Stacks for 3D Sequential IntegrationKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
10Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Simicic, M. ; Chasin, A. ; Linten, D. ; Parvais, B. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Grasser, T. A Brief Overview of Gate Oxide Defect Properties and Their Relation to MOSFET Instabilities and Device and Circuit Time-Dependent VariabilityArtikel Article 2018
11Rzepa, G. ; Franco, J. ; O’Sullivan, B. ; Subirats, A. ; Simicic, M. ; Hellings, G. ; Weckx, P. ; Jech, M. ; Knobloch, T. ; Waltl, M. ; Roussel, P.J. ; Linten, D. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Comphy -- A Compact-Physics Framework for Unified Modeling of BTIArtikel Article 2018
12Tyaginov, S. E. ; Makarov, A. A. ; Kaczer, B. ; Jech, M. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Hellings, G. ; Vexler, M. I. ; Linten, D. ; Grasser, T. Impact of the Device Geometric Parameters on Hot-Carrier Degradation in FinFETsArtikel Article 2018
13Makarov, A. A. ; Tyaginov, S. E. ; Kaczer, B. ; Jech, M. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Hellings, G. ; Vexler, M. I. ; Linten, D. ; Grasser, T. Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETsArtikel Article 2018
14Franco, J. ; Putcha, V. ; Vais, A. ; Sioncke, S. ; Waldron, N. ; Zhou, D. ; Rzepa, G. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. ; Heyns, M. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Characterization of oxide defects in InGaAs MOS gate stacks for high-mobility n-channel MOSFETs (invited)Konferenzbeitrag Inproceedings 2017
15Makarov, A. ; Tyaginov, S. E. ; Kaczer, B. ; Jech, M. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Hellings, G. ; Vexler, M. I. ; Linten, D. ; Grasser, T. Hot-carrier degradation in FinFETs: Modeling, peculiarities, and impact of device topologyKonferenzbeitrag Inproceedings 2017
16Kaczer, B. ; Franco, J. ; Tyaginov, S. ; Jech, M. ; Rzepa, G. ; Grasser, T. ; O'Sullivan, B. J. ; Ritzenhaler, R. ; Schram, T. ; Spessot, A. ; Linten, D. ; Horiguchi, N. Mapping of CMOS FET Degradation in Bias Space--Application to Dram Peripheral DevicesArtikel Article 2017
17Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Simicic, M. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Debacker, P. ; Parvais, B. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Goes, W. ; Grasser, T. The Defect-Centric Perspective of Device and Circuit Reliability - From Gate Oxide Defects to CircuitsArtikel Article 2016
18Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Goes, W. ; Grasser, T. The defect-centric perspective of device and circuit reliability — From individual defects to circuitsKonferenzbeitrag Inproceedings2015