Full name Familienname, Vorname
Parvais, B.
 

Results 1-4 of 4 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Michl, J. ; Grill, Alexander ; Stampfer, B. ; Waldhoer, D. ; Schleich, Christian ; Knobloch, T. ; Ioannidis, E. ; Enichlmair, H. ; Minixhofer, R. ; Kaczer, B. ; Parvais, B. ; Govoreanu, Bogdan ; Radu, I. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Evidence of Tunneling Driven Random Telegraph Noise in Cryo-CMOSInproceedings Konferenzbeitrag2021
2Grill, A. ; Bury, E. ; Michl, J. ; Tyaginov, S. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Parvais, B. ; Kaczer, B. ; Waltl, M. ; Radu, I. Reliability and Variability of Advanced CMOS Devices at Cryogenic TemperaturesKonferenzbeitrag Inproceedings2020
3Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Simicic, M. ; Chasin, A. ; Linten, D. ; Parvais, B. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Grasser, T. A Brief Overview of Gate Oxide Defect Properties and Their Relation to MOSFET Instabilities and Device and Circuit Time-Dependent VariabilityArtikel Article 2018
4Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Simicic, M. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Debacker, P. ; Parvais, B. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Goes, W. ; Grasser, T. The Defect-Centric Perspective of Device and Circuit Reliability - From Gate Oxide Defects to CircuitsArtikel Article 2016