Name Card

Full name Familienname, Vorname
Grandjean, N.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-7 of 7 (Search time: 0.002 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Jurkovic, M. ; Gregusova, D. ; Palankovski, V. ; Hascik, Stefan ; Blaho, M. ; Cico, K. ; Frohlich, K. ; Carlin, J. ; Grandjean, N. ; Kuzmik, J. Schottky-Barrier Normally Off GaN/InAlN/AlN/GaN HEMT With Selectively Etched Access RegionArtikel Article 2013
2Alexewicz, A. ; Ostermaier, C. ; Henkel, C. ; Bethge, O. ; Carlin, J.-F. ; Lugani, L. ; Grandjean, N. ; Bertagnolli, E. ; Pogany, D. ; Strasser, G. Explanation of threshold voltage scaling in enhancement-mode InAlN/AlN-GaN metal oxide semiconductor high electron mobility transistors on Si substratesArtikel Article 2012
3Čičo, K. ; Hušeková, K. ; Ťapajna, M. ; Gregušová, D. ; Stoklas, R. ; Kuzmík, J. ; Carlin, J.-F. ; Grandjean, N. ; Pogany, D. ; Fröhlich, K. Electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3, ZrO2, and GdScO3 gate dielectricsArtikel Article2011
4Donoval, D. ; Chvála, A. ; Šramatý, R. ; Kováč, J. ; Carlin, J.-F. ; Grandjean, N. ; Pozzovivo, G. ; Kuzmík, J. ; Pogany, D. ; Strasser, G. ; Kordoš, P. Current transport and barrier height evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky diodesArtikel Article2010
5Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Schmid, Michael ; Tóth, L. ; Pécz, B. ; Carlin, J.-F. ; Gonschorek, M. ; Grandjean, N. ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistorsArtikel Article2010
6Kuzmik, J. ; Pozzovivo, G. ; Ostermaier, C. ; Strasser, G. ; Pogany, D. ; Gornik, E. ; Carlin, J.-F. ; Gonschorek, M. ; Feltin, E. ; Grandjean, N. Analysis of degradation mechanisms in lattice-matched InAlN/GaN high-electron-mobility transistorsArtikel Article2009
7Kuzmik, J. ; Pozzovivo, G. ; Carlin, J.‐F. ; Gonschorek, M. ; Feltin, E. ; Grandjean, N. ; Strasser, G. ; Pogany, D. ; Gornik, E. Off-state breakdown in InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistorsArtikel Article2009