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<div class="csl-entry">Wagner, S. (2005). <i>Small-signal device and circuit simulation</i> [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3091</div>
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dc.identifier.uri
https://doi.org/10.34726/hss.2005.3091
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http://hdl.handle.net/20.500.12708/13881
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dc.description
Zsfassung in dt. Sprache
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dc.description.abstract
Die Entwicklung der letzten Jahrzehnte hat gezeigt, dass die numerische Bauelementsimulation einen wichtigen Beitrag zur Charakterisierung von Halbleiterstrukturen leistet. Der wirtschaftliche Vorteil des Einsatzes von modernen Simulationsprogrammen ist enorm, da Resultate von aufwendigen und teuren Experimenten durch numerische Berechnungen vorausgesagt werden können. Um die Voraussetzungen für die Simulation von modernen Halbleiterbauelementen zu erfüllen, müssen die Simulationsprogramme stets erweitert werden, um alle notwendigen physikalischen Effekte berücksichtigen zu können. Neben immer genaueren und aufwendigeren Modellen werden auch neue Simulationsmodi benötigt, um die Menge an berechenbaren Kenngrößen zu erweitern. Im Zuge dieser Arbeit wurden die Anforderungen an eine numerische Kleinsignalanalyse definiert und die zugrundeliegenden Konzepte in den allgemeinen Bauelement- und Schaltungssimulator Minimos-NT implementiert.
de
dc.description.abstract
During the last decades numerical device simulation has proven to be invaluable for characterizing semiconductor devices. The economic impact is enormous because results of expensive experiments can be predicted by employing one or more simulation tools. To meet the requirements for the simulation of advanced devices, ongoing effort is put into extension of these tools by implementations of state-of-the-art descriptions of all relevant physical effects.<br />Besides of that modeling the simulators have also to be extended by new simulation modes. In course of this work, the requirements for small-signal simulations have been identified and new features have been added to the general-purpose device and circuit simulator Minimos-NT. After a short introduction including a motivation and overview of the current market situation, the analytical problem of the respective simulations is derived. All features have been used to characterize advanced devices, such as InGaP/GaAs and SiGe HBTs, a wide-bandgap SiC MESFET, and double gate MOSFETs. The latter require higher-order transport models in order to accurately extract the steady-state and small-signal device quantities. Since the small-signal simulation mode is directly based in the frequency domain, the solution of one complex-valued equation system per frequency step is required. For that reason, the numerical core modules have been extended to handle both real-valued and complex-valued quantities.<br />In order to profit from new developments of mathematical code, the solver module has been extended by an interface to external solvers.
en
dc.language
English
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dc.language.iso
en
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dc.rights.uri
http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
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dc.subject
Elektronisches Bauelement
de
dc.subject
Kleinsignalverhalten
de
dc.subject
Simulation
de
dc.subject
Numerisches Verfahren
de
dc.title
Small-signal device and circuit simulation
en
dc.type
Thesis
en
dc.type
Hochschulschrift
de
dc.rights.license
In Copyright
en
dc.rights.license
Urheberrechtsschutz
de
dc.identifier.doi
10.34726/hss.2005.3091
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dc.contributor.affiliation
TU Wien, Österreich
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dc.rights.holder
Stephan Wagner
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tuw.version
vor
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tuw.thesisinformation
Technische Universität Wien
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dc.contributor.assistant
Grasser, Klaus-Tibor
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tuw.publication.orgunit
E360 - Institut für Mikroelektronik
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dc.type.qualificationlevel
Doctoral
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dc.identifier.libraryid
AC04583162
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dc.description.numberOfPages
178
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dc.identifier.urn
urn:nbn:at:at-ubtuw:1-21302
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dc.thesistype
Dissertation
de
dc.thesistype
Dissertation
en
dc.rights.identifier
In Copyright
en
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Urheberrechtsschutz
de
tuw.advisor.staffStatus
staff
-
tuw.assistant.staffStatus
external
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item.openaccessfulltext
Open Access
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http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
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open
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item.mimetype
application/pdf
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item.languageiso639-1
en
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doctoral thesis
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item.fulltext
with Fulltext
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Publications
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crisitem.author.dept
E360 - Institut für Mikroelektronik
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crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik