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<div class="csl-entry">Knobloch, T., Rzepa, G., Illarionov, Y., Waltl, M., Schanovski, F., Stampfer, B., Furchi, M. M., Müller, T., & Grasser, T. (2018). A Physical Model for the Hysteresis in MoS2 Transistors. <i>IEEE Journal of the Electron Devices Society</i>, <i>6</i>, 972–978. https://doi.org/10.1109/jeds.2018.2829933</div>
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