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<div class="csl-entry">Illarionov, Y. Y., Rzepa, G., Waltl, M., Knobloch, T., Grill, A., Furchi, M. M., Mueller, T., & Grasser, T. (2016). The role of charge trapping in Mo₂/SiO₂ and MoS₂/hBN field-effect transistors. <i>2D Materials</i>, <i>3</i>(3), 035004. https://doi.org/10.1088/2053-1583/3/3/035004</div>
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Mechanical Engineering
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Mechanics of Materials
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Condensed Matter Physics
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General Materials Science
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General Chemistry
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The role of charge trapping in Mo₂/SiO₂ and MoS₂/hBN field-effect transistors
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