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<div class="csl-entry">Sharma, P., Tyaginov, S. E., Wimmer, Y., Rudolf, F., Rupp, K., Bina, M., Enichlmair, H., Park, J. M., Minixhofer, R., Ceric, H., & Grasser, T. (2015). Modeling of Hot-Carrier Degradation in nLDMOS Devices: Different Approaches to the Solution of the Boltzmann Transport Equation. <i>IEEE Transactions on Electron Devices</i>, <i>62</i>(6), 1811–1818. https://doi.org/10.1109/ted.2015.2421282</div>
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IEEE
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IEEE Transactions on Electron Devices
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dc.subject
Electrical and Electronic Engineering
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dc.subject
Electronic, Optical and Magnetic Materials
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dc.title
Modeling of Hot-Carrier Degradation in nLDMOS Devices: Different Approaches to the Solution of the Boltzmann Transport Equation
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Original Research Article
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C6
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Modelling and Simulation
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IEEE Transactions on Electron Devices
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Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik
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E350
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