<div class="csl-bib-body">
<div class="csl-entry">Bina, M. (2010). <i>Simulation of interface states generated during stress in MOSFETs</i> [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/161585</div>
</div>
-
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.12708/161585
-
dc.description.abstract
In der vorliegenden Arbeit wird die Simulation von Oberflächendefekten in MOS-Strukturen und deren Generierung unter Stress präsentiert. Zuerst werden die Auswirkungen verschiedener Arten von Oberflächendefekten und deren mathematische und algorithmische Behandlung während der Simulation besprochen. Dabei wird das Hauptaugenmerk auf amphoterische Defekte gelegt, da diese am häufigsten durch Stress an der Halbleiter-Oxide-Schnittstelle erzeugt werden. Die Auswirkungen der verschiedenen Oberflächendefekte auf Bauteilparameter, wie Einsatzspannung, wird anhand von Kapazitäts-Spannungs-Kurven gezeigt. In den letzten zwei Kapitel werden einfache Modelle zur Generierung von Oberflächendefekten unter Stress und deren Auswirkungen auf Bauteilparameter besprochen und anhand von Simulationsergebnissen gezeigt.<br />
de
dc.description.abstract
In this thesis the simulation of interface states in MOS-structures generated during stress, like high temperature or high contact voltages, is presented. At first the impact of various types of interface states and their mathematical and algorithmic treatment during device simulation are discussed. Where the main emphasis is laid on amphoteric traps, since this type of interface state is most prevalent in stress generated defects at the oxide-semiconductor-interface of MOS-structures, like MOSFETs. The impact of various types of interface states on device parameters, like the threshold voltage, is shown using capacitance-voltage-characteristics. In the last two chapters simple models for interface state generation under stress conditions and device parameter degrading effects are disscussed and simulation results are presented.
en
dc.language
English
-
dc.language.iso
en
-
dc.subject
MOS
de
dc.subject
Simulation
de
dc.subject
MOSFET
de
dc.subject
Stress
de
dc.subject
Interface States
de
dc.subject
Amphoteric
de
dc.subject
Traps
de
dc.subject
MOS
en
dc.subject
Simulation
en
dc.subject
MOSFET
en
dc.subject
Stress
en
dc.subject
Interface States
en
dc.subject
Amphoteric
en
dc.subject
Traps
en
dc.title
Simulation of interface states generated during stress in MOSFETs
en
dc.type
Thesis
en
dc.type
Hochschulschrift
de
dc.contributor.affiliation
TU Wien, Österreich
-
tuw.thesisinformation
Technische Universität Wien
-
dc.contributor.assistant
Gös, Wolfgang
-
tuw.publication.orgunit
360 - Institut für Mikroelektronik
-
dc.type.qualificationlevel
Diploma
-
dc.identifier.libraryid
AC07807103
-
dc.description.numberOfPages
79
-
dc.thesistype
Diplomarbeit
de
dc.thesistype
Diploma Thesis
en
tuw.assistant.staffStatus
exstaff
-
item.openairecristype
http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf
-
item.openairecristype
http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf
-
item.cerifentitytype
Publications
-
item.cerifentitytype
Publications
-
item.fulltext
no Fulltext
-
item.openairetype
Thesis
-
item.openairetype
Hochschulschrift
-
item.grantfulltext
none
-
item.languageiso639-1
en
-
crisitem.author.dept
E360 - Institut für Mikroelektronik
-
crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik