DC Element
Wert
Sprache
dc.contributor.advisor
Stöger-Pollach, Michael
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dc.contributor.author
Zenz, Keanu
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dc.date.accessioned
2025-01-28T10:16:53Z
-
dc.date.issued
2024
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dc.date.submitted
2025-01
-
dc.identifier.citation
<div class="csl-bib-body"> <div class="csl-entry">Zenz, K. (2024). <i>Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs</i> [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2025.126074</div> </div>
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dc.identifier.uri
https://doi.org/10.34726/hss.2025.126074
-
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.12708/209832
-
dc.description
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
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dc.language
English
-
dc.language.iso
en
-
dc.rights.uri
http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
-
dc.subject
SiC-MOSFET
de
dc.subject
Al-Defekte
de
dc.subject
SiO2-SiC Grenzflächen
de
dc.subject
SiC-MOSFET
en
dc.subject
Al-defects
en
dc.subject
SiO2-SiC interfaces
en
dc.title
Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs
en
dc.title.alternative
Charakterisierung von Al-Defekten in 4H-SiC MOSFETs
de
dc.type
Thesis
en
dc.type
Hochschulschrift
de
dc.rights.license
In Copyright
en
dc.rights.license
Urheberrechtsschutz
de
dc.identifier.doi
10.34726/hss.2025.126074
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dc.contributor.affiliation
TU Wien, Österreich
-
dc.rights.holder
Keanu Zenz
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dc.publisher.place
Wien
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tuw.version
vor
-
tuw.thesisinformation
Technische Universität Wien
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dc.contributor.assistant
Waltl, Michael
-
tuw.publication.orgunit
E138 - Institut für Festkörperphysik
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dc.type.qualificationlevel
Diploma
-
dc.identifier.libraryid
AC17418918
-
dc.description.numberOfPages
62
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dc.thesistype
Diplomarbeit
de
dc.thesistype
Diploma Thesis
en
dc.rights.identifier
In Copyright
en
dc.rights.identifier
Urheberrechtsschutz
de
tuw.advisor.staffStatus
staff
-
tuw.assistant.staffStatus
staff
-
tuw.advisor.orcid
0000-0002-5450-4621
-
tuw.assistant.orcid
0000-0001-6042-759X
-
item.openairecristype
http://purl.org/coar/resource_type/c_bdcc
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item.fulltext
with Fulltext
-
item.cerifentitytype
Publications
-
item.languageiso639-1
en
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item.openairetype
master thesis
-
item.grantfulltext
embargo_20251231
-
item.openaccessfulltext
Open Access
-
crisitem.author.dept
E311-01-4 - Forschungsgruppe Fertigungsmesstechnik und adaptronische Systeme
-
crisitem.author.parentorg
E311-01 - Forschungsbereich Fertigungstechnik
-
Enthalten in den Sammlungen:
Thesis
Zenz Keanu - 2025 - Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs.pdf
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