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<div class="csl-entry">Zenz, K. (2024). <i>Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs</i> [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2025.126074</div>
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https://doi.org/10.34726/hss.2025.126074
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http://hdl.handle.net/20.500.12708/209832
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Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
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English
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dc.language.iso
en
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dc.rights.uri
http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
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dc.subject
SiC-MOSFET
de
dc.subject
Al-Defekte
de
dc.subject
SiO2-SiC Grenzflächen
de
dc.subject
SiC-MOSFET
en
dc.subject
Al-defects
en
dc.subject
SiO2-SiC interfaces
en
dc.title
Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs
en
dc.title.alternative
Charakterisierung von Al-Defekten in 4H-SiC MOSFETs
de
dc.type
Thesis
en
dc.type
Hochschulschrift
de
dc.rights.license
In Copyright
en
dc.rights.license
Urheberrechtsschutz
de
dc.identifier.doi
10.34726/hss.2025.126074
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dc.contributor.affiliation
TU Wien, Österreich
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dc.rights.holder
Keanu Zenz
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dc.publisher.place
Wien
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tuw.version
vor
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tuw.thesisinformation
Technische Universität Wien
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dc.contributor.assistant
Waltl, Michael
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tuw.publication.orgunit
E138 - Institut für Festkörperphysik
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dc.type.qualificationlevel
Diploma
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dc.identifier.libraryid
AC17418918
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dc.description.numberOfPages
62
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dc.thesistype
Diplomarbeit
de
dc.thesistype
Diploma Thesis
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In Copyright
en
dc.rights.identifier
Urheberrechtsschutz
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0000-0002-5450-4621
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tuw.assistant.orcid
0000-0001-6042-759X
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master thesis
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http://purl.org/coar/resource_type/c_bdcc
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item.grantfulltext
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Publications
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with Fulltext
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application/pdf
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Open Access
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crisitem.author.dept
E311-01-4 - Forschungsgruppe Fertigungsmesstechnik und adaptronische Systeme
