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<div class="csl-entry">Preisinger, S. (2015). <i>Molybdenum disulfide and black phosphorus based heterojunction</i> [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/78760</div>
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dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.12708/78760
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dc.description
Abweichender Titel laut Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
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dc.description
Zsfassung in dt. Sprache
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dc.description.abstract
Dünne Schichten aus Molybdän(IV)-sulfid und schwarzem Phosphor werden verwendet um eine p-n Diode zu fabrizieren. Die Materialien werden mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie, Photolumineszenz und Raman Spektroskopie charakterisiert. Elektrische Messungen deuten darauf hin, dass die Rekombination an der Grenzfläche den wichtigsten Beitrag zum Stromfluss über das Bauteil liefert.
de
dc.description.abstract
Thin layers of molybdenum disulfide and black phosphorus are used to fabricate a p-n diode. The materials were characterized by the means of atomic force microscopy, photoluminescence and Raman spectroscopy. Electrical measurements indicate that carrier recombination at the interface is the most important contributor to the current across the device.
en
dc.format
VI, 60 S.
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dc.language
English
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dc.language.iso
en
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dc.subject
Kondensierte Materie
de
dc.subject
Halbleiterphysik
de
dc.subject
Dünne Schichten
de
dc.subject
Van der Waals Materialien
de
dc.subject
p-n Diode
de
dc.subject
Heteroübergang
de
dc.subject
Schwarzer Phosphor
de
dc.subject
Moylbdändisulfid
de
dc.subject
2D Materialien
de
dc.subject
condensed matter
en
dc.subject
semiconductor physics
en
dc.subject
thin layers
en
dc.subject
Van der Waals materials
en
dc.subject
p-n diode
en
dc.subject
heterojunction
en
dc.subject
black phosphorus
en
dc.subject
molybdenum disulfide
en
dc.subject
2D materials
en
dc.title
Molybdenum disulfide and black phosphorus based heterojunction
en
dc.title.alternative
Heteroübergang bestehend aus Molybdändisulfid und schwarzem Phosphor