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<div class="csl-entry">Jukić, T. (2017). <i>Empfänger mit integrierter Lawinenfotodiode</i> [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/78985</div>
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dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.12708/78985
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dc.description
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
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dc.description.abstract
Diese Arbeit fokussiert die monolithischen integrierten Lawinenfotodioden (APDs) Empfänger. Der Vorteil dieser Empfänger ist ihre verbesserte Sensitivität gegenüber Standard P-Intrinsic-N Diode (PIN) Empfängern und die niedrigen Herstellungskosten aufgrund der monolithischen Integration. Für die Entwicklung wurde ein 0,35 mm Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor (BiCMOS) Prozess gewählt, der sich für die Entwicklung von optoelektronisch integrierten Schaltungen (OEICs) gut eignet. Dadurch konnten die Vorteile der bipolaren Transistoren wie auch die große Absorptionszone für den APD Empfänger genutzt werden. Der erste Schritt ist die Entwicklung einer prozesskompatiblen APD, die mit der Schaltung genutzt werden kann. Drei solche APD-Strukturen werden in dieser Arbeit vorgestellt. Die funktionstüchtigen APDs sind dann vermessen worden, um die Eigenschaften der APDs bezüglich Kapazität, Bandbreite, Zusatzrauschen und Multiplikation zu charakterisieren. Für die APDs wurden Schaltungen entwickelt, die die APDs für die Datenübertragung nutzen. Aufgrund der hohen Arbeitsspannung der APD mussten die Entwurfsregeln für das Layout der Schaltung verändert werden, damit es nicht zu unerwünschten Durchbrüchen kommt. Die entworfenen APD Empfänger wurden charakterisiert und mit den PIN Empfängern verglichen. Eine Analyse der APD Empfänger die die optimale Multiplikation und die Sensitivität berechnet, wurde durchgeführt. Die berechneten und die gemessenen Werte wurden verglichen und bestätigen die Analyse der APD Empfänger. Diagramme, die die Abschätzung der möglichen Sensitivität und der optimalen Multiplikationen für die verschiedensten Datenraten der APD Empfänger ermöglichen, sind erstellt worden.
de
dc.description.abstract
This work focuses on monolithic integrated Avalanche Photo Diode (APD) receivers. The advantage of these receivers are their improved sensitivity compared to standard P-Intrinsic-N Diode (PIN) receivers and their low manufacturing costs due to monolithic integration. For the development, a 0.35 mm Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor (BiCMOS) process was chosen, which is well suited for the development of Optoelectronic Integrated Circuits (OEICs). This allows using the advantages of the bipolar transistors as well as the large absorption zone for the APD receiver. The first step is the development of a process compatible APD, which can be used with the circuit. Three process compatible APD structures are presented in this thesis. The functional APDs are then measured to characterize their properties regarding capacitance, bandwidth, excess noise and multiplication. Circuits for the APDs have been designed, that use the APDs for data transmission. Due to the high working voltage of the APDs, the design rules for the layout of the circuit had to be modified in order to avoid breakdowns in the working region.. The designed APD receivers were characterized and compared with the PIN receivers. An analysis of the APD receiver which calculates the optimal multiplication and the sensitivity was carried out. By comparing the measured with the calculated values for the APD receivers a good accordance was achieved. Graphs that allow estimation of possible sensitivity and optimal multiplications for various data rates of the APD receivers have been created.
en
dc.format
xi, 133 Blätter
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dc.language
Deutsch
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dc.language.iso
de
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dc.subject
Lawinenfotodiode
de
dc.subject
Empfänger
de
dc.subject
Avalanche Photodiode
en
dc.subject
Receiver
en
dc.title
Empfänger mit integrierter Lawinenfotodiode
de
dc.title.alternative
Receivers with integrated Avalanche Photodiode
en
dc.type
Thesis
en
dc.type
Hochschulschrift
de
dc.contributor.affiliation
TU Wien, Österreich
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dc.publisher.place
Wien
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tuw.thesisinformation
Technische Universität Wien
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tuw.publication.orgunit
E354 - Institute of Electrodynamics, Microwave and Circuit Engineering
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dc.type.qualificationlevel
Doctoral
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dc.identifier.libraryid
AC13752222
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dc.description.numberOfPages
133
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dc.thesistype
Dissertation
de
dc.thesistype
Dissertation
en
tuw.advisor.staffStatus
staff
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item.openairetype
Thesis
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item.openairetype
Hochschulschrift
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item.grantfulltext
none
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item.cerifentitytype
Publications
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item.cerifentitytype
Publications
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item.languageiso639-1
de
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item.openairecristype
http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf
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item.openairecristype
http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf
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item.fulltext
no Fulltext
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crisitem.author.dept
E354 - Electrodynamics, Microwave and Circuit Engineering
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crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik