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<div class="csl-entry">Zimmermann, C. (2018). <i>Physikalische und elektrische Charakterisierung von ALD-gewachsenen High-k Dielektrika in Germanium-basierten Schottky-Barrieren pMOSFET Bauelementen</i> [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/79007</div>
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dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.12708/79007
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dc.description
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin
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dc.description.abstract
Ziel der vorliegenden Arbeit ist die physikalische und elektrische Charakterisierung von ALD-gewachsenen High-k Oxiden für die Herstellung von HKMG Schottky-Barrieren pMOSFETs auf Antimon dotierten Germanium Substraten. Zu diesem Zweck werden die einzelnen Komponenten des HKMG SB-pMOSFETs untersucht und anhand von verschiedenen Präparierungs-, Passivierungs- und Ausheilungsmethoden optimiert, um auf Grundlage der erworbenen Kenntnisse Transistoren sowohl im Gate First- als auch im Gate- Last-Prozess zu fertigen.
de
dc.description.abstract
The aim of this work is the physical and electrical characterization of ALD-grown high-k oxides for the fabrication of HKMG Schottky barrier pMOSFETs on antimony doped germanium substrates. To this purpose, the individual components of the HKMG SB pMOSFET are studied and optimized using dierent preparation, passivation, and annealing techniques to fabricate transistors in the gate-rst and gate-last process based on the previously acquired knowledge.
en
dc.format
x, 298 Seiten
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dc.language
Deutsch
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dc.language.iso
de
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dc.subject
Germanium
de
dc.subject
High-k Oxide
de
dc.subject
Y2O3
de
dc.subject
HfO2
de
dc.subject
Atomlagenabscheidung
de
dc.subject
Oberflächenpassivierung
de
dc.subject
katalytische Pt-Schicht
de
dc.subject
XPS-Oberflächenanalyse
de
dc.subject
MOS-Kondensatoren
de
dc.subject
Schottky-Kontakte
de
dc.subject
Schottky-Barrieren
de
dc.subject
MOSFET
de
dc.subject
Germanium
en
dc.subject
High-k Oxide
en
dc.subject
Y2O3
en
dc.subject
HfO2
en
dc.title
Physikalische und elektrische Charakterisierung von ALD-gewachsenen High-k Dielektrika in Germanium-basierten Schottky-Barrieren pMOSFET Bauelementen
de
dc.title.alternative
Physical and electrical characterization of ALD-grown high-k dielectrics in germanium-based Schottky-barrier pMOSFET devices
en
dc.type
Thesis
en
dc.type
Hochschulschrift
de
dc.contributor.affiliation
TU Wien, Österreich
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dc.publisher.place
Wien
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tuw.thesisinformation
Technische Universität Wien
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tuw.publication.orgunit
E362 - Institut für Festkörperelektronik
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dc.type.qualificationlevel
Doctoral
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dc.identifier.libraryid
AC15026632
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dc.description.numberOfPages
298
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dc.thesistype
Dissertation
de
dc.thesistype
Dissertation
en
tuw.advisor.staffStatus
staff
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item.languageiso639-1
de
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item.openairetype
doctoral thesis
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item.grantfulltext
none
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item.fulltext
no Fulltext
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item.cerifentitytype
Publications
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item.openairecristype
http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
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crisitem.author.dept
E362 - Institut für Festkörperelektronik
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crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
